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FQD6N60CTM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FQD6N60CTM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD6N60CTM-VB

FQD6N60CTM-VB概述

    FQD6N60CTM N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD6N60CTM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种高压应用场景。它以其低门极电荷、高可靠性及易于驱动的特点而闻名。此产品广泛应用于工业控制、电源管理、电动机驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 关键参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 最小阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 V
    - 最大漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10 \, V \)): 0.95 Ω
    - 最大总栅极电荷 \( Qg \): 15 nC
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 16 A
    - 电气特性
    - 额定连续漏电流 \( ID \): 5 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 120 mJ
    - 最大峰值反向恢复 \( dV/dt \): 4.5 V/ns
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 未指定
    - 最大结点到外壳热阻 \( R{thJC} \): 未指定

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:只需简单的驱动要求,降低了电路设计的复杂性。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐受性:显著提高了产品的耐用性和稳定性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压、电流:确保在各种工作条件下的稳定性能。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:满足环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 工业控制设备中的电机驱动
    - 电源管理系统中的开关稳压器
    - 使用建议
    - 确保在高温环境下工作的设备能适应最高结温限制(150°C)。
    - 设计时注意避免过高的瞬态电压冲击,特别是 \( dV/dt \) 的控制。


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - 与标准封装的 PCB 和散热片兼容。
    - 支持
    - 提供详尽的技术文档和客户支持,以帮助解决设计过程中的任何疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的瞬态电压会导致损坏?
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻来控制 \( dV/dt \),并确保散热措施到位。

    - 问题2: 在高温环境下无法正常工作?
    - 解决方案: 选择更高额定温度的产品或采用更有效的散热策略。

    7. 总结和推荐


    FQD6N60CTM N-Channel MOSFET 是一款高性能的器件,具有出色的电气特性和耐用性。它适合需要高压操作的应用场景,如工业控制和电源管理。强烈推荐在需要高可靠性和高效能的项目中使用。
    本手册详细介绍了 FQD6N60CTM N-Channel MOSFET 的基本特征和技术规格,以及其在具体应用中的表现。如果你正在寻找一款高性能、易于使用的 MOSFET 来提升你的项目,这款产品绝对值得考虑。

FQD6N60CTM-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD6N60CTM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD6N60CTM-VB数据手册

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FQD6N60CTM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
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