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STD5NK50Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: STD5NK50Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD5NK50Z-VB

STD5NK50Z-VB概述


    产品简介


    产品类型:N-Channel MOSFET
    主要功能:低门极电荷(Qg)使得驱动要求简单,增强了门极、雪崩及动态dV/dt的耐用性。完全标定的电容和雪崩电压电流特性。
    应用领域:广泛应用于电源管理和控制,如逆变器、开关电源、电机驱动等。

    技术参数


    - VDS (击穿电压):650 V
    - RDS(on) (导通电阻):0.95 Ω (VGS = 10 V)
    - Qg (最大总栅极电荷):15 nC
    - Qgs (栅源电荷):3 nC
    - Qgd (栅漏电荷):6 nC
    - 配置:单管
    - 绝对最大额定值:
    - 门极-源极电压 (VGS):± 30 V
    - 持续漏极电流 (TC = 25 °C):5 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):205/35/30 W
    - 工作温度范围:存储和操作温度 -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Qg):使得驱动要求简化,减少了驱动电路的设计复杂度。
    - 增强的耐用性:提高门极、雪崩及动态dV/dt的耐用性,增加了产品的可靠性。
    - 全标定电容和雪崩电压电流:确保产品的稳定性和一致性,减少设计风险。
    - RoHS合规:符合环保标准,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品常用于逆变器、开关电源、电机驱动等应用中。例如,在一个3相电机驱动系统中,该产品可以有效管理驱动电流,提供稳定的电机控制。
    - 使用建议:为了充分利用其特性,建议使用低漏感、良好的接地平面设计,并且确保驱动信号的完整性。此外,在高负载情况下,要特别注意散热,避免过热导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准TO-220AB封装的组件兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持、样片申请、样品采购等,确保客户在使用过程中获得充分的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:选择适当的驱动电阻是关键。根据具体的应用需求,通常选择10Ω至30Ω之间的电阻,以保证足够的驱动能力同时不造成过大的功率损耗。
    2. 问题:如何正确焊接该产品?
    - 解决方案:推荐采用回流焊或波峰焊工艺,峰值温度控制在300°C以内,焊接时间为10秒。严格控制焊接时间,防止过热对产品造成损伤。
    3. 问题:在高功率下工作时,需要注意什么?
    - 解决方案:高功率工作时,要特别关注产品的散热。确保良好的散热设计,如使用散热片或风扇,保持工作温度在安全范围内,以避免过热。

    总结和推荐


    综述:STD5NK50Z是一款高性能N-Channel MOSFET,具有低门极电荷、高耐用性及全标定电容特性。其优秀的性能和可靠的设计使其成为众多电源管理和控制应用的理想选择。
    推荐:我们强烈推荐这款产品用于各种高要求的应用场合。其优越的电气特性和广泛的兼容性,使其在市场上具有较强的竞争力。同时,制造商提供的完善支持体系也为其用户提供了可靠的保障。

STD5NK50Z-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STD5NK50Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD5NK50Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD5NK50Z-VB STD5NK50Z-VB数据手册

STD5NK50Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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