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FZ24VS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: FZ24VS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FZ24VS-VB

FZ24VS-VB概述

    FZ24VS-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FZ24VS-VB 是一款 N-通道 60 V (D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效率和高性能的电源转换应用而设计。这款 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度以及逻辑电平门驱动能力,使其成为适用于多种应用的理想选择,例如直流到直流转换器、开关电源、电机控制和照明系统。

    技术参数


    - 电压额定值
    - 栅源电压(VGS):±10 V
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 最大功率耗散(PCB安装):150 W(TC = 25 °C)
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 漏极连续电流(TC = 25 °C):50 A
    - 脉冲漏极电流:200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):400 mJ
    - 静态特性
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时:0.032 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 时:0.035 Ω
    - 输入电容(Ciss):3000 pF
    - 输出电容(Coss):60 pF
    - 反向转移电容(Crss):1000 pF
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)):17 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):42 ns
    - 上升时间(tr):230 ns
    - 下降时间(tf):110 ns
    - 内部漏极电感(LD):4.5 nH
    - 内部源极电感(LS):7.5 nH
    - 工作温度范围
    - 操作结温(TJ):-55 °C 至 +175 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-55 °C 至 +175 °C

    产品特点和优势


    1. 卤素自由:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    2. 表面贴装:便于自动装配。
    3. 动态 dv/dt 额定值:提高了开关性能。
    4. 逻辑级门驱动:简化电路设计,提高可靠性。
    5. 快速开关:有助于提高能效。
    6. 符合RoHS标准:环保合规。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:用于直流到直流转换器、开关电源、电机控制和照明系统。
    - 使用建议:
    - 为确保最佳性能,在高温环境下工作时应注意散热。
    - 使用 PCB 设计时,需要考虑低杂散电感和平面接地,以减少干扰。
    - 在驱动电路设计时,考虑使用与测试设备相同类型的驱动器。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 PCB 材料(如 FR-4 或 G-10)兼容。
    - 厂商支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,确保用户可以顺利应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何保证长时间工作的稳定性?
    - 解决方案:定期检查散热系统,确保良好的散热条件。
    - 问题2:如何优化开关性能?
    - 解决方案:适当降低栅极电阻,以获得更快的开关速度。
    - 问题3:如何避免电压击穿?
    - 解决方案:确保栅源电压不超过极限值,遵循安全操作指南。

    总结和推荐


    FZ24VS-VB MOSFET 在技术参数和性能方面表现出色,具备低导通电阻、快速开关速度和逻辑电平门驱动能力。该产品适合于各种高性能的应用场合。结合制造商提供的支持和详细的文档资料,它是一款值得推荐的产品。对于需要高效、可靠电力转换的系统来说,这款 MOSFET 将是一个理想的选择。

FZ24VS-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FZ24VS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FZ24VS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FZ24VS-VB FZ24VS-VB数据手册

FZ24VS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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