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IRFR4620TRLPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,25A,RDS(ON),54mΩ@10V,112mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR4620TRLPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR4620TRLPBF-VB

IRFR4620TRLPBF-VB概述

    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电源管理器件,适用于多种高可靠性应用。它属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 类型,具有卓越的耐温性能(最高可达 175°C),并且针对脉宽调制(PWM)进行了优化设计。该器件已通过RoHS认证,符合欧盟关于限制有害物质使用的相关指令。
    主要功能
    - 高效开关控制
    - 优异的热稳定性
    - 支持PWM控制
    - 100% Rg测试合格
    应用领域
    - 主要侧开关
    - 高温环境下的电路控制

    技术参数


    电气特性
    - VDS(漏源电压):200 V
    - RDS(on)(导通电阻):0.055 Ω (在 VGS = 10 V 条件下)
    - ID(连续漏极电流):40 A (在 TJ = 125 °C 条件下)
    - IDM(脉冲漏极电流):160 A
    - IS(连续源电流):28 A
    - IAS(雪崩电流):3 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):18 mJ
    - PD(最大功耗):96 W (在 TC = 25 °C 条件下)
    - TJ(工作结温和存储温度范围):-55 °C 到 175 °C
    热阻参数
    - RthJA(结到环境热阻):15 °C/W (瞬态条件下),18 °C/W (稳态条件下)
    - RthJC(结到管壳热阻):0.85 °C/W (在 TJ = 25 °C 条件下)

    产品特点和优势


    这款N-Channel 200 V (D-S) MOSFET具备多个独特的优势,使其在市场上具有较强的竞争力:
    - 高温耐受性:能够承受高达175°C的工作温度,适用于极端环境的应用。
    - 优化的PWM控制:特别为PWM设计,适合高频率开关应用。
    - 可靠的质量保证:100% Rg测试确保每个器件的质量。
    - 环保材料:符合RoHS标准,确保产品的绿色环保特性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该器件被广泛应用于电源转换电路中作为主要侧开关。例如,在高频逆变器系统中,可以利用其低导通电阻和高电流能力实现高效能的电力转换。
    使用建议:
    为了更好地发挥其性能,建议在安装时遵循推荐的最小焊盘尺寸,并确保良好的散热条件以提高可靠性。此外,用户应该根据具体的应用需求选择合适的VGS值,以获得最佳的性能表现。

    兼容性和支持


    兼容性:
    该器件采用标准的TO-252封装,易于与现有的PCB设计兼容,方便集成到现有系统中。
    支持和服务:
    制造商提供了详细的文档和技术支持,包括常见问题解答和故障排查指南。用户可以通过服务热线400-655-8788获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确安装N-Channel 200 V (D-S) MOSFET?
    解决方案:确保按照推荐的焊盘尺寸进行安装,并使用适当的焊料和工艺。安装完成后,务必检查焊接质量。
    问题2:器件出现过热现象怎么办?
    解决方案:确认散热片或其他冷却措施是否适当配置,并确保有足够的空气流通。如果需要,可以考虑使用散热片或散热器来提高散热效果。

    总结和推荐


    总结:
    N-Channel 200 V (D-S) MOSFET凭借其出色的耐温性、高效能的开关控制能力和优秀的环保特性,在众多应用中表现出色。该器件不仅适用于高可靠性要求的场合,还能够在高温环境下稳定运行。
    推荐:
    综上所述,我们强烈推荐这款N-Channel 200 V (D-S) MOSFET,特别是在需要高功率、高效率且对环境友好的应用中。它的多功能性和高可靠性使得它成为众多工程师的理想选择。

IRFR4620TRLPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 54mΩ@10V,112mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 25A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR4620TRLPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR4620TRLPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR4620TRLPBF-VB IRFR4620TRLPBF-VB数据手册

IRFR4620TRLPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.1228
100+ ¥ 5.6693
500+ ¥ 5.2158
2500+ ¥ 4.989
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