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IRF530SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF530SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF530SPBF-VB

IRF530SPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款专为高效率电源转换设计的电子元器件。其基本类型为N沟道增强型MOSFET,具备出色的性能和可靠性。该产品的主要功能是作为开关或放大器在电源转换器、逆变器等设备中发挥关键作用。N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 广泛应用于隔离式直流/直流转换器等领域,这些应用需要高效率和可靠的电力转换能力。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDS):100 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (TC = 25 °C):20 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):70 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):20 A
    - 雪崩能量 (EAS):200 mJ
    - 最大功耗 (PD):3.75 W (TA = 25 °C)
    - 温度参数:
    - 工作结温范围:-55 °C 至 175 °C
    - 存储温度范围:-55 °C 至 175 °C
    - 热阻参数:
    - 结到环境热阻 (RthJA):40 °C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC):0.4 °C/W

    产品特点和优势


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 采用了 TrenchFET® 技术,具备以下显著优势:
    1. 高耐温性:能够在高达 175 °C 的结温下正常工作。
    2. 低热阻封装:有效提高散热效率,确保长时间稳定运行。
    3. 可靠性保证:所有产品均通过 100% 门极电阻 (Rg) 测试,确保出厂质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 主要用于隔离式直流/直流转换器。这类转换器广泛应用于通信设备、数据中心、服务器、工业自动化系统等领域。例如,在通信基站中,它可确保高效稳定的电力供应,减少能耗并延长设备寿命。
    使用建议
    - 在设计电路时,应确保漏源电压 (VDS) 不超过 100 V。
    - 在极端温度环境下使用时,应注意选择合适的散热措施,以避免因过热导致的故障。
    - 使用过程中,定期监测温度和电流参数,确保在安全范围内运行。

    兼容性和支持


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 采用 D2PAK (TO-263) 封装,适用于多种 PCB 布局。厂商提供详细的安装指南和技术支持,确保客户能够顺利集成该产品。此外,客户还可以访问官方网站获取最新技术文档和更新信息。

    常见问题与解决方案


    问题1:工作时出现过热现象
    解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的空气流通,避免过热。
    问题2:电源转换效率低下
    解决方案:检查电路布局,确保栅极电阻 (Rg) 设置正确,避免信号干扰。如果有必要,可重新调整电路参数。
    问题3:长期使用后出现性能下降
    解决方案:定期进行设备维护和检查,确保工作环境符合要求,必要时更换老化部件。

    总结和推荐


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 凭借其出色的性能、高耐温性和可靠性,在隔离式直流/直流转换器等应用中表现出色。其独特的技术优势使其成为市场上具有竞争力的产品之一。我们强烈推荐此产品给需要高效率和可靠性的电力转换应用。对于希望获得更高性能和更长使用寿命的客户,N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一个理想的选择。

IRF530SPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,106mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF530SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF530SPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF530SPBF-VB IRF530SPBF-VB数据手册

IRF530SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
800+ ¥ 1.987
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