处理中...

首页  >  产品百科  >  B20S60L-VB

B20S60L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: B20S60L-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) B20S60L-VB

B20S60L-VB概述

    B20S60L 650V N-Channel Super Junction MOSFET

    1. 产品简介


    B20S60L 是一款高性能的 N-Channel Super Junction MOSFET,具有超低导通电阻和极快的开关速度。它广泛应用于电信、照明、消费电子、工业、可再生能源和开关电源系统等领域。这款 MOSFET 设计用于提高能源效率并减少损耗,使其成为现代电力转换应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 最大连续漏电流 (ID):20A(TC=25°C),13A(TC=100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):60A
    - 最大耗散功率 (PD):208W
    - 反向恢复电荷 (Qrr):≤1.2μC
    - 总门极电荷 (Qg):≤106nC
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大 0.19Ω(VGS=10V)
    - 输入电容 (Ciss):最大 2322pF
    - 输出电容 (Coss):最大 105pF
    - 封装形式:D2PAK (TO-263)

    3. 产品特点和优势


    B20S60L MOSFET 拥有以下独特功能和优势:
    - 低开关损耗:通过减少反向恢复时间和门极电荷,显著降低开关损耗。
    - 高可靠性:最高工作温度可达150°C,确保在极端环境下稳定运行。
    - 快速开关:具备出色的动态性能,能够在高频率下高效工作。
    - 高能效:超低的导通电阻和快速的开关特性使能效得到极大提升。

    4. 应用案例和使用建议


    B20S60L 广泛应用于多个领域,例如:
    - 服务器和电信电源供应:在这些应用中,高效的能量转换是关键因素。B20S60L 的低损耗特性可以显著提升整体系统效率。
    - 太阳能逆变器:在光伏系统中,使用 B20S60L 可以减少转换过程中的能量损失,提高发电效率。
    - 焊接设备:在工业焊接设备中,快速的开关速度可以确保焊接质量的同时,减少热量的产生。
    使用建议:
    - 在高频应用中,合理选择驱动电路和外部电感器可以进一步优化性能。
    - 确保散热良好,避免过热现象,特别是在高负载条件下。

    5. 兼容性和支持


    B20S60L MOSFET 支持广泛的供电电压范围,并且与常见的驱动电路兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持,用户可以通过联系服务热线 400-655-8788 获取更多的技术支持和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高频开关时,MOSFET 温度过高。
    解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片和强制风冷。

    - 问题:在高频应用中,MOSFET 出现振荡现象。
    解决方案:优化 PCB 布局,减少寄生电感和电容,确保门极驱动信号的稳定性。

    7. 总结和推荐


    总体而言,B20S60L MOSFET 以其卓越的性能和广泛的应用领域,在市场上表现出色。它的低损耗特性、高可靠性以及快速的开关性能使其成为众多电力转换应用的首选。强烈推荐在需要高效率和稳定性的场合中使用此产品。
    请注意,本文档中的所有内容均依据制造商提供的技术手册整理,具体操作和使用需遵循厂家指导和技术专家的验证。

B20S60L-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

B20S60L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

B20S60L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 B20S60L-VB B20S60L-VB数据手册

B20S60L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
800+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0