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4902N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: 4902N-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4902N-VB

4902N-VB概述

    4902N-VB Dual N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    4902N-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定工作电压为 30V,主要应用于低电流直流/直流转换器和机顶盒等设备。这款 MOSFET 的关键特点是采用 TrenchFET® 工艺技术,使得其在性能和可靠性方面具有显著的优势。

    2. 技术参数


    - 额定参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 下 60A;70 °C 下 2.18A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):5A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):1.25mJ
    - 最大功耗 (PD):25 °C 下 56W;70 °C 下 1.34W
    - 最高工作结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS):30V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):10V 时 0.0034Ω;4.5V 时 0.0043Ω
    - 前向跨导 (gfs):16S
    - 输入电容 (Ciss):1300pF
    - 输出电容 (Coss):257pF
    - 反向传输电容 (Crss):155pF
    - 总栅电荷 (Qg):3.7nC 至 5.6nC
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)):12ns 至 24ns
    - 上升时间 (tr):55ns 至 100ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):10ns 至 20ns
    - 下降时间 (tf):6ns 至 12ns
    - 热阻参数:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):58°C/W
    - 最大结至引脚(漏)稳态热阻 (RthJF):38°C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 工艺:提高了开关速度和电流承载能力。
    - 100% 测试:包括 UIS 测试和 Rg 测试,确保产品的可靠性和稳定性。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准:环保合规性高。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于低电流直流/直流转换器和机顶盒。这些应用对可靠性要求较高,同时需要较小的体积和高效的功率管理。
    - 使用建议:在设计电路时,要特别注意散热管理,特别是在高负载和高温环境下。建议使用适当的散热片以降低热阻,确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他主流电路板材料和制造工艺兼容,适合大批量生产。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和故障排除文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高电流条件下发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,例如使用合适的散热片。

    - 问题 2:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:检查 PCB 布线布局,确保栅极驱动信号质量和电源线路的阻抗匹配。

    7. 总结和推荐


    4902N-VB MOSFET 以其高性能、高可靠性和环保特性,在低电流直流/直流转换器和机顶盒等应用中表现出色。它不仅具备优秀的电气特性和可靠的热管理能力,还通过了多项严格测试。建议在需要高效能和长寿命的应用中使用。
    如果您有任何进一步的问题或需要技术支持,可随时拨打 VBsemi 的服务热线:400-655-8788。

4902N-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4902N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4902N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4902N-VB 4902N-VB数据手册

4902N-VB封装设计

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