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FR3910-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: FR3910-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FR3910-VB

FR3910-VB概述

    N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100 V MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于 TrenchFET® 系列。该产品广泛应用于电源管理电路,特别是在需要高效率、高可靠性的应用场景中。其主要功能包括作为主侧开关,适用于 PWM(脉冲宽度调制)优化设计的系统。

    技术参数


    - 电压规格
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 源漏击穿电压 \( V{DS} \): 100 V (在 \( V{GS} = 0 \) V,\( ID = 250 \mu A \))

    - 电流规格
    - 连续漏极电流 \( ID \): 13 A (在 \( TC = 125 ^\circ \text{C} \))
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 40 A
    - 连续源极电流 \( IS \): 3 A

    - 电阻规格
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 3 \text{A} \): 0.040 Ω
    - \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 3 \text{A}, TJ = 125 ^\circ \text{C} \): 0.045 Ω
    - \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 3 \text{A}, TJ = 175 ^\circ \text{C} \): 0.140 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \text{V}, ID = 3 \text{A} \): 0.040 Ω

    - 其他规格
    - 热阻 \( R{thJA} \): 15°C/W (最大值)
    - 热阻 \( R{thJC} \): 0.85°C/W (最大值)
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA (\( V{DS} = 100 \text{V}, V{GS} = 0 \text{V}, TJ = 125 ^\circ \text{C} \))

    产品特点和优势


    - 高温稳定性: 可以承受高达 175°C 的结温,适合恶劣的工作环境。
    - 高效能: 专为 PWM 优化设计,具有低导通电阻,能显著提高系统的能效。
    - 可靠性高: 所有产品均经过 100% 的 \( Rg \) 测试,确保品质可靠。
    - 环保: 符合 RoHS 指令,满足环境保护要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于开关电源、逆变器等应用,尤其是需要高效率和高可靠性的场合。
    - 使用建议: 在实际应用中,应根据具体的工作环境和负载情况选择合适的散热措施,确保温度不超过 \( TJ = 175^\circ \text{C} \)。此外,可以参考典型特性图来优化电路设计,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与其他标准 TO-252 封装的器件互换,方便集成到现有系统中。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和客户支持,有助于快速解决问题和优化设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 如何测量导通电阻?
    - 解决方案: 使用万用表,选择适当的电流源,并通过公式 \( R{DS(on)} = \frac{V{DS}}{ID} \) 计算。
    - 问题 2: 如何改善热管理?
    - 解决方案: 使用大面积铜散热片,或者增加散热风扇,保证良好的空气流通。
    - 问题 3: 如何选择合适的门极电阻?
    - 解决方案: 参考手册中的门极电阻建议值,例如 \( Rg = 2.5 \Omega \),并结合具体应用进行调整。

    总结和推荐


    N-Channel 100 V MOSFET 是一款具有卓越性能和高度可靠性的功率 MOSFET,特别适合于需要高效率和高稳定性的应用场合。该产品不仅能够有效提升系统的整体性能,还能在极端环境下保持稳定运行。综上所述,强烈推荐此款产品用于开关电源和其他类似应用中。

FR3910-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FR3910-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FR3910-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FR3910-VB FR3910-VB数据手册

FR3910-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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