处理中...

首页  >  产品百科  >  STS8DNH3LL-VB

STS8DNH3LL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: STS8DNH3LL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STS8DNH3LL-VB

STS8DNH3LL-VB概述

    Dual N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel 30 V MOSFET(STS8DNH3LL)是一款高性能的双沟道N沟道30V功率场效应晶体管。该产品采用先进的TrenchFET™技术,适用于笔记本系统电源管理和低电流直流转换器等多种应用场合。其独特的结构设计使其具有高效、可靠且易于集成的特点,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 连续漏极电流 \(ID\):
    - \(TC = 25°C\): 8.5 A
    - \(TA = 25°C\): 7.2 A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 30 A
    - 最大功率耗散 \(PD\):
    - \(TC = 25°C\): 3.1 W
    - \(TA = 25°C\): 2.0 W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.2 V 至 2.5 V
    - 零栅压漏极电流 \(I{DSS}\): \(V{DS} = 30 V\), \(V{GS} = 0 V\): 1 μA (在55°C时增加至10 μA)
    - 导通状态漏源电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\): 0.016 Ω
    - \(V{GS} = 4.5 V\): 0.020 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 660 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 140 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 86 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\):
    - \(V{GS} = 10 V\): 14.5 nC
    - \(V{GS} = 4.5 V\): 7.1 nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 1.9 nC
    - 栅极电阻 \(Rg\): 0.5 Ω 至 5.2 Ω
    - 开关延迟时间 \(td(on)\): 7 ns 至 28 ns
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 52 °C/W
    - 最大结到引脚稳态热阻 \(R{thJF}\): 30 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET™技术:该技术能够提高器件的效率并减少导通电阻,适用于需要高效率和低损耗的应用场合。
    - 可靠性测试:100% \(Rg\) 测试和 100% \(UIS\) 测试确保了产品的质量和长期稳定性。
    - RoHS合规:符合欧盟《关于在电气电子设备中限制使用某些有害物质指令》的要求,适用于对环保要求较高的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本系统电源:该产品特别适合用于笔记本电脑中的电源管理模块,由于其高效率和低功耗特性,有助于延长电池寿命。
    - 低电流直流转换器:在低电流直流转换器应用中,其低导通电阻特性可以显著降低能耗,提升整体系统的能效。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑其开关特性和驱动电路匹配,确保在高频开关操作下仍然保持良好的性能。
    - 注意散热设计,避免因过热导致器件失效。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与标准SO-8封装兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、应用指导和技术培训。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常发热。
    - 解决方法: 检查驱动电路是否匹配,必要时增加散热措施,如加装散热片或散热风扇。

    - 问题2: 寿命短或损坏频繁。
    - 解决方法: 确认电路中是否有过电压或浪涌现象,必要时加入保护电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Dual N-Channel 30 V MOSFET(STS8DNH3LL)凭借其高效的性能和高可靠性,在多种应用场合中表现出色。特别是在低电流直流转换器和笔记本系统电源管理方面,其低导通电阻和良好的热稳定性为其赢得了市场的认可。因此,我强烈推荐此产品作为高性能电源管理和控制应用的理想选择。

STS8DNH3LL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8.5A
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STS8DNH3LL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STS8DNH3LL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STS8DNH3LL-VB STS8DNH3LL-VB数据手册

STS8DNH3LL-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0