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N0400P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: N0400P-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N0400P-VB

N0400P-VB概述

    # N0400P P-Channel 40V TO-252 MOSFET 技术手册

    产品简介


    N0400P 是一款高性能的 P-Channel 40V 沟槽式功率 MOSFET(TrenchFET®),专为需要高效率和低热阻的应用设计。其主要功能包括优异的导通电阻(RDS(on))性能、快速开关特性和高可靠性。该产品广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。
    主要功能
    - 高效的沟槽式功率 MOSFET 技术
    - 超低导通电阻,适用于高电流应用
    - 快速开关速度,减少开关损耗
    - 适合高频和高效率设计
    应用领域
    - 工业自动化设备
    - 开关电源
    - 驱动电路
    - 汽车电子系统

    技术参数


    以下是 N0400P 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | -40 | - | - | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | -1.5 | - | -2.5 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID | -50 | - | - | A |
    | 导通电阻(VGS = -10V) | RDS(on) | - | 0.012 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2872 | 3950 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 508 | 635 | pF |
    | 门极电荷 | Qg | - | 60 | 80 | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 超低导通电阻:典型值仅为 0.012Ω,适用于高电流密度应用。
    2. 快速开关特性:降低开关损耗,提升整体效率。
    3. 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保产品的稳定性和耐用性。
    市场竞争力
    - 在同等电压等级中具有最低的导通电阻,显著提高能效。
    - 封装设计提供低热阻(RthJA = 50°C/W),有效降低热管理成本。
    - 支持高频率应用,适用于现代电力电子设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源设计:N0400P 可用于高效降压转换器,提供稳定的输出电压。
    2. 电机驱动:在工业自动化中作为驱动模块的核心组件,提供高精度控制。
    3. 汽车电子:适用于车身控制系统和电源管理模块。
    使用建议
    - 优化散热设计:由于热阻较低,建议在实际应用中确保良好的散热条件。
    - 匹配外部元件:选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能。
    - 注意最大额定值:避免超过绝对最大额定值,确保长期稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - N0400P 采用 TO-252 封装,与其他同类产品完全兼容,便于替换和升级。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 客户可随时通过服务热线(400-655-8788)获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 确保良好的散热设计,检查 PCB 布局 |
    | 导通电阻过高 | 检查工作温度是否超出范围,更换元件 |
    | 栅极驱动不稳定 | 增加栅极电阻以稳定信号传输 |

    总结和推荐


    综合评估
    N0400P 是一款卓越的 P-Channel MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,在多种工业和消费级应用中表现出色。其设计紧凑且易于集成,特别适合高效率和高频率的设计需求。
    推荐结论
    我们强烈推荐 N0400P 用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用中。无论是工业控制还是汽车电子领域,这款产品都能为您提供出色的性能和灵活性。

N0400P-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 65A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N0400P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N0400P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N0400P-VB N0400P-VB数据手册

N0400P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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