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FW332-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: FW332-TL-E-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FW332-TL-E-VB

FW332-TL-E-VB概述


    产品简介


    N-和P-通道30V(D-S)MOSFET
    FW332-TL-E 是一款由VBsemi推出的高效能N-和P-通道MOSFET产品。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有极低的导通电阻(RDS(on)),非常适合用于电机驱动和移动电源银行等领域。该产品不仅符合RoHS指令要求,还实现了无卤素化生产,满足环保标准。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):30V(N-通道);-30V(P-通道)
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):N-通道最大为8A;P-通道最大为8A
    - 脉冲漏极电流(10 μs脉冲宽度):40A
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):N-通道最大为1μA(在25℃时);P-通道最大为-1μA(在25℃时)
    - 单脉冲雪崩电流(L=0.1 mH):N-通道最大为10A;P-通道最大为20A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):N-通道最大为5mJ;P-通道最大为20mJ
    - 最大功率耗散:TC=25 °C时最大为3.1W(N-通道);3.2W(P-通道)
    - 工作温度范围:存储温度范围为-55°C至150°C;结温范围同存储温度范围

    产品特点和优势


    - 绿色环保:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素生产,对环境友好。
    - 高效率:通过先进的TrenchFET®技术,实现极低的导通电阻(RDS(on)),从而显著降低功耗。
    - 可靠性强:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,保证产品质量。
    - 易于集成:兼容标准SO-8封装,适合多种电路设计。

    应用案例和使用建议


    FW332-TL-E MOSFET广泛应用于电机驱动和移动电源等领域。例如,在电机驱动系统中,它可以作为控制开关,实现高效的电源管理。对于移动电源银行的设计,它可以通过调节电压和电流,提高充电效率和安全性。
    使用建议:
    - 在电机驱动应用中,考虑到电机可能产生的大电流冲击,建议选用适当的散热措施,以确保MOSFET的稳定运行。
    - 在电源管理应用中,建议配合适当的滤波电容使用,以减少瞬态电压的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FW332-TL-E MOSFET采用标准SO-8封装,可轻松集成到现有电路板中,无需额外适配器。
    - 支持和服务:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的技术文档、用户指南及在线咨询服务,确保客户可以快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - Q:MOSFET的导通电阻为何变化?
    A: 导通电阻的变化通常受到温度和电压的影响。建议在具体应用中通过热管理方案和适当的电压调节来优化性能。

    - Q:在极端条件下,MOSFET能否正常工作?
    A: 绝对最大额定值是确保产品不会因过载而损坏的界限。如果在这些极限条件之外工作,可能会导致产品损坏。建议在操作过程中严格遵守规定的绝对最大额定值。

    总结和推荐


    FW332-TL-E MOSFET凭借其高效的性能、强大的兼容性和绿色制造工艺,成为市场上一款优秀的电子元器件产品。它的广泛应用性和可靠的稳定性使其成为电机驱动和移动电源应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的电子设备中。

FW332-TL-E-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 9A,6A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FW332-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FW332-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FW332-TL-E-VB FW332-TL-E-VB数据手册

FW332-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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