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P14NK50ZFP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: P14NK50ZFP-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P14NK50ZFP-VB

P14NK50ZFP-VB概述

    P14NK50ZFP N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    P14NK50ZFP 是一款高性能的 N-通道 550V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种工业、消费类电子和电源管理应用。这种 MOSFET 在设计上考虑了低导通电阻、低输入电容和高体二极管坚固性等因素,以确保高效和可靠的操作。其主要应用包括显示器、服务器电源、电信设备、焊接机、感应加热设备、电机驱动系统、电池充电器和功率因数校正(PFC)电路。

    技术参数


    以下是 P14NK50ZFP 的关键技术和性能参数:
    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):550V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \):56A
    - 最大连续漏电流 \( ID \)(\( TJ = 150 °C \)):18A(\( TC = 25 °C \)),11A(\( TC = 100 °C \))

    - 电气特性
    - 最大导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10V \)):0.26Ω(\( T{J} = 25 °C \))
    - 最大总门电荷 \( Qg \):150nC
    - 输入电容 \( C{iss} \):3094pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):152pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):13pF
    - 热特性
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \):40°C/W
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \):0.45°C/W
    - 热焊接建议:峰值温度 300°C,持续时间 10 秒

    产品特点和优势


    P14NK50ZFP 具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:优化的设计使其在各种条件下均能提供低导通电阻,从而降低功耗并提高效率。
    - 快速开关:低输入电容和快速开关能力使其在高频应用中表现出色。
    - 高体二极管坚固性:高 avalanche 能量评级使得该器件在极端工作条件下依然稳定可靠。
    - 简单的门驱动电路:低门电荷和低门电阻简化了驱动电路设计。

    应用案例和使用建议


    P14NK50ZFP 广泛应用于各类电子设备和系统中,包括:
    - 消费电子:适用于电视、显示器等设备。
    - 工业:用于焊接机、感应加热设备和电机驱动系统。
    - 电源管理:适用于服务器电源、电信设备和电池充电器中的功率因数校正(PFC)电路。
    在具体应用中,建议用户根据不同的负载和工作条件选择合适的门驱动电路和散热方案,以最大化器件性能和延长使用寿命。

    兼容性和支持


    P14NK50ZFP 可与其他标准电子元器件和设备兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南、故障排除手册和技术咨询。此外,用户还可以通过服务热线 400-655-8788 获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下工作时性能下降。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并遵循焊接建议的热规范,避免器件过热。

    2. 问题:器件在高速开关时出现振荡现象。
    - 解决方案:增加外部门电阻,减少寄生电感,优化门驱动电路。
    3. 问题:器件的栅极电荷较高,导致功耗增加。
    - 解决方案:选择合适的门驱动电路,尽量减少开关过程中的能量损耗。

    总结和推荐


    P14NK50ZFP 作为一款高性能的 N-通道 550V 功率 MOSFET,在低导通电阻、快速开关能力和高体二极管坚固性方面表现优异。它适用于多种工业和消费电子应用,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。建议在需要高功率密度和高效能的系统中使用该器件。

P14NK50ZFP-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P14NK50ZFP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P14NK50ZFP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P14NK50ZFP-VB P14NK50ZFP-VB数据手册

P14NK50ZFP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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