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CEF09N7A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,5A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: CEF09N7A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CEF09N7A-VB

CEF09N7A-VB概述


    产品简介


    N-Channel MOSFET(CEF09N7A-VB)
    CEF09N7A-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和转换电路中。它具备低栅极电荷、高可靠性以及良好的动态特性和稳定性,使其成为工业、消费电子和汽车电子产品中的理想选择。

    技术参数


    以下是CEF09N7A-VB的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 700 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 1.1 Ω(当VGS=10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 15 nC(最大值)
    - 栅源电荷 (Qgs): 3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 6 nC
    - 配置: 单个
    - 可选型号: 罗氏限制符合标准
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 700 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏电流 (TC=25°C): 5 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 120 mJ
    - 最大功率耗散 (TC=25°C): 205/35/30 W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低栅极电荷降低了驱动需求,简化了电路设计。
    - 增强型耐用性: 改进了栅极、雪崩及动态dV/dt的耐用性。
    - 全面特征化: 完整的电容和雪崩电压、电流特征化。
    - 环保合规: 符合RoHS指令2002/95/EC,无卤素。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    CEF09N7A-VB 广泛应用于需要高可靠性和高效能的电路中,如电源管理、电机驱动和逆变器等。例如,在一个电源转换器中,它可以作为开关元件,有效提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 合理布局: 在使用过程中,确保电路布局合理,降低寄生电感和寄生电阻的影响。
    - 散热设计: 由于高功率损耗可能导致过热,设计时应考虑有效的散热措施,例如使用散热片和优化散热路径。

    兼容性和支持


    CEF09N7A-VB 的引脚兼容常见的TO-220封装,易于替换其他类似的MOSFET产品。厂商提供了详细的技术支持和文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,VBsemi公司还提供完善的售后服务和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 确保电路散热良好,增加散热片并优化电路布局。
    - 问题2: 开关速度较慢。
    - 解决方案: 减少寄生电感,优化驱动电路的设计,确保栅极充电时间足够短。
    - 问题3: 雪崩耐受能力不足。
    - 解决方案: 适当调整工作参数,避免超过最大雪崩电流和能量限制。

    总结和推荐


    CEF09N7A-VB凭借其低栅极电荷、高可靠性和广泛的应用范围,在众多同类产品中脱颖而出。其先进的特性使其非常适合用于各种高要求的应用场合,尤其是电源管理和转换系统。对于需要高性能和高可靠性的用户,强烈推荐选用CEF09N7A-VB作为首选产品。

CEF09N7A-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

CEF09N7A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CEF09N7A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 CEF09N7A-VB CEF09N7A-VB数据手册

CEF09N7A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
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