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IPP47N10SL-26-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: IPP47N10SL-26-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP47N10SL-26-VB

IPP47N10SL-26-VB概述

    IPP47N10SL-26-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP47N10SL-26-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N-Channel 100-V MOSFET。这款 MOSFET 主要用于隔离型直流转换器等领域,适用于各种电源管理及控制应用。其独特的 TrenchFET® 技术使其在高电压、大电流环境下表现出色。

    技术参数


    以下是 IPP47N10SL-26-VB 的主要技术参数:
    - 击穿电压(V(BR)DSS):100V
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时为 0.017Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 30 A 时为 0.023Ω
    - 在 VGS = 10 V, ID = 30 A, TJ = 175°C 时为 0.037Ω
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - 在 TJ = 25°C 时为 70A
    - 在 TJ = 125°C 时为 35A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):60mJ
    - 最大热阻抗(RthJA):40°C/W
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C ~ 175°C

    产品特点和优势


    IPP47N10SL-26-VB 具有多项显著的优势:
    - TrenchFET® 技术:提供低导通电阻和高击穿电压,提高效率并降低损耗。
    - 高耐温能力:最高工作温度可达 175°C,适用于高温环境下的应用。
    - 低热阻:低热阻设计提高了散热效果,延长了使用寿命。
    - 可靠测试:所有样品均经过 100% Rg 测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    IPP47N10SL-26-VB 主要应用于隔离型直流转换器。在实际使用中,为了保证最佳性能和可靠性,建议如下:
    - 安装位置:确保 MOSFET 安装在良好的散热条件下,避免长时间过热。
    - 驱动电路:选择合适的驱动电路以减少开关损耗。
    - 散热措施:采用高效的散热片或散热器,确保热管理的有效性。

    兼容性和支持


    IPP47N10SL-26-VB 支持标准 TO-220AB 封装,可以方便地与其他电路板组件连接。制造商 VBsemi 提供详尽的技术支持文档和售后服务,包括常见问题解答和故障排查指南。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高负载下,MOSFET 过热。
    - 解决方案:增加外部散热片,改进散热设计。
    2. 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路是否正常,确保驱动信号稳定。
    3. 问题:MOSFET 击穿。
    - 解决方案:检查电路设计,确保电压不超过规定范围。

    总结和推荐


    IPP47N10SL-26-VB N-Channel 100-V MOSFET 在多个方面表现卓越,具备高可靠性、优良的电气性能和广泛的应用前景。对于需要高电压、大电流应用的客户,我们强烈推荐使用此产品。同时,制造商 VBsemi 提供全面的技术支持和服务,使用户能够更高效地使用该产品。

IPP47N10SL-26-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP47N10SL-26-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP47N10SL-26-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP47N10SL-26-VB IPP47N10SL-26-VB数据手册

IPP47N10SL-26-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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