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FQU2N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: FQU2N80-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQU2N80-VB

FQU2N80-VB概述


    产品简介


    FQU2N80是一款高性能N沟道MOSFET,适用于多种电源管理和工业应用。这款MOSFET以其低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on))而著称,能够有效降低开关和传导损耗,提升整体能效。主要应用领域包括服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)、高密度照明、工业焊接和电机驱动等。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 800V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 最大连续漏电流(TJ = 150 °C): 2.8A (TC = 25 °C), 1.8A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏电流(IMD): 5A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 14mJ
    - 最大功耗(PD): 62.5W
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55到+150 °C
    - 热阻(RthJA): 最大62°C/W
    - 输入电容(Ciss): 最大315pF
    - 输出电容(Coss): 最大20pF
    - 反向传输电容(Crss): 最大6pF
    - 总栅极电荷(Qg): 最大19.6nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 最大2.4nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 最大3.9nC
    - 转换特性
    - 开启延迟时间(td(on)): 最大22ns
    - 上升时间(tr): 最大14ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 最大38ns
    - 下降时间(tf): 最大54ns

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg): 有效降低了开关损耗,提高了效率。
    2. 低输入电容(Ciss): 减少了驱动所需的能量,提升了系统响应速度。
    3. 超低导通电阻(RDS(on)): 在正常工作条件下仅为2.38Ω,确保了高效的电力传输。
    4. 增强型设计: 在高功率密度应用中具有出色的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源系统: 利用其高可靠性和高效性能,满足数据中心对能源效率的需求。
    - 高密度照明: 特别适用于HID灯和荧光灯球泡,提供稳定的电流控制。
    - 工业应用: 在电机驱动、焊接、感应加热和电池充电等场合,发挥出色的表现。
    使用建议
    - 优化电路布局: 避免过高的寄生电感,采用大面积接地平面以减少漏电流。
    - 测试配置: 确保驱动器与待测设备相同类型,并正确设置驱动器的栅极电阻(Rg)。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FQU2N80可以与其他标准N沟道MOSFET兼容,在大多数电源管理系统中均可使用。
    - 支持和服务: VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格书和技术咨询,确保客户在应用过程中得到全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中产生较大的热损耗。
    - 解决方法: 检查电路布局,避免寄生电感的影响,确保适当的散热措施。
    - 问题2: 在高温环境下器件性能下降。
    - 解决方法: 调整电路设计,降低器件的工作温度,使用散热片或其他散热装置。

    总结和推荐


    综上所述,FQU2N80是一款高效且可靠的N沟道MOSFET,特别适合于高功率密度的应用场景。其低栅极电荷和高效率的特点使其成为众多工业和消费电子产品中的理想选择。强烈推荐给需要高性能和高效能电源管理解决方案的工程师和设计师们。

FQU2N80-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQU2N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQU2N80-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQU2N80-VB FQU2N80-VB数据手册

FQU2N80-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.6649
100+ ¥ 4.3194
500+ ¥ 3.9738
4000+ ¥ 3.801
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