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IRFS3307PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: IRFS3307PBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS3307PBF-VB

IRFS3307PBF-VB概述

    IRFS3307PBF-VB N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel MOSFET
    主要功能:作为高功率开关元件,适用于多种电力转换和控制应用
    应用领域:电源管理、电机驱动、照明系统、电动汽车(EV)和其他工业控制系统

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):80 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):在25°C时为120 A;在125°C时为65 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):225 A
    - 单次雪崩能量 (EAS):125 mJ
    - 最大耗散功率 (PD):在25°C时为370 W;在125°C时为120 W
    - 绝对最大结温 (TJ):175 °C
    - 热阻 (RthJA):40 °C/W
    - 最大栅极电阻 (Rg):3.8 Ω
    - 最大门限电压 (VGS(th)):2.5 - 4.5 V
    - 阈值电压下的门体泄漏 (IGSS):±100 nA
    - 静态雪崩击穿电压 (VDS):80 V
    - 通态漏源电阻 (RDS(on)):在VGS = 10 V时为6 mΩ;在VGS = 4.5 V时为10 mΩ
    - 反向恢复时间 (trr):88 - 176 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):0.22 - 0.44 μC

    3. 产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术:提高开关速度和降低导通电阻,显著提升整体性能。
    - 高温度耐受性:能够承受高达175°C的结温,适合高温环境下的应用。
    - 全面测试:100% Rg 和UIS测试确保产品质量和可靠性。
    - 兼容材料分类:符合欧盟RoHS和无卤素标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电机驱动:适用于需要高效能和快速响应的电机控制系统。
    - 光伏逆变器:高效率和高耐温特性使其成为光伏逆变器的理想选择。
    - 电动车辆充电站:能够在高温环境下稳定运行,适合用于电动车充电基础设施。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意散热设计以避免过热。可以考虑使用散热片或者液冷系统来提高散热效果。
    - 当负载电流接近最大值时,应保证电路中的所有部件(如PCB)都能良好散热。
    - 由于其较高的栅极电阻(最高可达3.8Ω),在高速开关应用中,可能需要外加栅极驱动器来优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的D2PAK封装兼容,可轻松替换其他品牌的N-Channel MOSFET。
    - 支持和服务:供应商提供详细的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记和客户技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下的稳定运行 | 使用良好的散热系统和合适的PCB布局 |
    | 开关损耗高 | 采用适当的栅极驱动器来降低开关损耗 |
    | 反向恢复电荷大 | 调整电路参数,如增加缓冲电路 |

    7. 总结和推荐


    总结:IRFS3307PBF-VB 是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适用于需要高速开关和高温度耐受性的各种应用。其 ThunderFET® 技术、高耐温能力和广泛的应用支持使得它在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:强烈推荐给需要高性能功率开关元件的设计工程师,特别是在高温、高功率密度环境中工作的系统。

IRFS3307PBF-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS3307PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS3307PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS3307PBF-VB IRFS3307PBF-VB数据手册

IRFS3307PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
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