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SQ4431EY-T1-GE3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: 14M-SQ4431EY-T1-GE3-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SQ4431EY-T1-GE3-VB

SQ4431EY-T1-GE3-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET SQ4431EY-T1-GE3 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET(SQ4431EY-T1-GE3) 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为负载开关和电池开关等应用而设计。这款器件采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻和高可靠性,适用于各种电子系统中,如电源管理、汽车电子和通信设备等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 栅源电压(VGS) | ±20V |
    | 漏源电压(VDS) | -30V |
    | 漏极连续电流(ID) | -9.0A @ TC=25°C |
    | 最大脉冲漏极电流(IMD) | -30A |
    | 额定功率(PD) | 4.2W @ TC=25°C |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55°C to 150°C |
    | 热阻(RthJA) | 40°C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:根据IEC 61249-2-21定义,该产品符合无卤素标准。
    - 低导通电阻:在栅源电压为-10V时,导通电阻仅为0.018Ω。
    - 快速开关特性:输入电容和输出电容分别只有1455pF和180pF,使得开关速度更快。
    - 可靠性强:100% Rg测试确保产品质量稳定。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于电路中的负载切换,例如电源管理系统。
    - 电池开关:在电池充电和放电过程中起到开关作用,保证系统的安全运行。
    使用建议:
    - 在使用前确保了解并遵守绝对最大额定值。
    - 对于高速开关的应用场景,需考虑输入和输出电容的影响,以提高整体性能。
    - 注意散热问题,尤其是高温环境下使用时,应合理选择散热措施。

    5. 兼容性和支持


    - 该器件具有标准化的SO-8封装,易于安装和替换。
    - VBsemi公司提供全面的技术支持和售后保障,确保用户在使用过程中能够得到及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻随温度变化明显。
    解决办法:可以通过优化电路布局,降低工作温度来减少导通电阻的变化。

    - 问题2:出现过热现象。
    解决办法:增加外部散热器,改善散热条件;也可以考虑使用带有更大散热面积的封装。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 优点:低导通电阻,环保无卤素材料,快速开关特性,高可靠性。
    - 缺点:需要考虑散热问题,特别是在高温环境下使用时。
    推荐:
    - 强烈推荐在负载开关和电池开关等应用中使用该款MOSFET,特别是对于要求高效能、低功耗的场合。建议在使用前详细阅读技术手册,确保最佳的使用效果和安全性。
    联系方式:如有任何疑问或技术支持需求,请联系VBsemi公司客服,电话:400-655-8788。
    本文档中的所有信息均基于技术手册内容,若有变动请以官方发布的最新资料为准。

SQ4431EY-T1-GE3-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 10V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SQ4431EY-T1-GE3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SQ4431EY-T1-GE3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SQ4431EY-T1-GE3-VB SQ4431EY-T1-GE3-VB数据手册

SQ4431EY-T1-GE3-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.8297
50+ ¥ 1.7221
150+ ¥ 1.537
500+ ¥ 1.1517
4000+ ¥ 1.1086
12000+ ¥ 1.0763
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