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ME4411D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-11A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.42Vth(V) 封装:SOP8适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: ME4411D-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME4411D-VB

ME4411D-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET ME4411D 技术手册

    产品简介


    ME4411D 是一款由 VBsemi 公司生产的 P-Channel MOSFET(P沟道场效应晶体管)。它主要应用于笔记本电脑、台式电脑等电子设备中的负载开关。这款 MOSFET 具有较高的耐用性和可靠性,非常适合在高频开关电源和电池管理等领域中使用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 11.6 A (TC = 25°C)
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 时为 0.011 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V 时为 0.012 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在 VDS = -15 V,VGS = -10 V 时为 43 nC
    - 在 VDS = -15 V,VGS = -4.5 V 时为 22 nC
    - 热阻 (RthJA): 最大 50 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 环保设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,不含卤素。
    - 高性能:采用 TrenchFET® 技术,确保高效率和低损耗。
    - 严格测试:所有产品均经过 100% Rg 和 UIS 测试。
    - 安全可靠:提供绝对最大额定值,确保在极端条件下的安全性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关
    - 笔记本电脑
    - 台式电脑
    使用建议:
    - 在使用 ME4411D 进行设计时,应考虑其最大额定值,确保电路不会超过这些限制。
    - 根据不同的工作条件,调整栅源电压和栅极电阻,以优化性能。
    - 鉴于其较低的导通电阻和高耐压能力,适用于高频开关应用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品具有标准的 SO-8 封装,与大多数主流 PCB 设计兼容。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详细的技术文档和客户支持。若遇到问题,可以通过 400-655-8788 联系其客服中心获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅源电压?
    - 解答:根据具体应用需求选择。建议在 VGS = -10 V 或 VGS = -4.5 V 下进行操作,以获得最佳性能。
    2. 问题:在高温环境下工作时,性能如何?
    - 解答:在 150°C 的结温下,其性能仍能保持稳定。但为了防止过热,建议使用散热片或其他冷却方法。

    总结和推荐


    总结:
    ME4411D 是一款高性能、高可靠性的 P-Channel MOSFET,广泛应用于笔记本电脑、台式电脑等设备中的负载开关。其出色的导通特性和低栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。
    推荐:
    对于需要高效且可靠的负载开关应用,ME4411D 是一个非常值得推荐的选择。建议在设计过程中充分考虑其性能参数,确保电路能够正常运行并发挥出最佳性能。

ME4411D-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 11A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.42V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ME4411D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME4411D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ME4411D-VB ME4411D-VB数据手册

ME4411D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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