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STP22NE03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: STP22NE03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STP22NE03-VB

STP22NE03-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    STP22NE03 是一款适用于多种应用的高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的功率处理能力和较低的导通电阻。这款 MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具备高可靠性、低损耗等特点。它被广泛应用于电源转换、电机驱动、LED 驱动以及其他需要高效电能转换的场合。

    技术参数


    以下是 STP22NE03 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 门源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID 80 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 A |
    | 雪崩电流 | IAS | 39 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 94.8 mJ |
    | 源漏二极管连续电流 | IS | 50 A |
    | 最大功率耗散 | PD | 120 W |
    | 最大结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    | 热阻抗 | RthJA | 32 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高性能 TrenchFET® 技术:提供高可靠性和低损耗,提高系统的整体效率。
    2. 全检合格:所有产品均经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保质量。
    3. 环保材料:符合 RoHS 指令 2011/65/EU,不含有害物质,适合绿色应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:STP22NE03 在电源适配器中表现出色,可以有效地减少功耗并提高转换效率。
    - 电机驱动:在电动工具和家电中用于驱动电机,可实现更平滑的控制和更低的能耗。
    - LED 驱动:适用于 LED 照明系统,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在选择合适的栅极电阻时,建议使用 1Ω 或更小的值,以加快开关速度并降低功耗。
    - 确保散热良好,尤其是在高功率运行时,以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:STP22NE03 可以与大多数标准的 TO-220AB 封装插座兼容。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和故障排除文档。如有任何问题,可通过服务热线 400-655-8788 联系他们的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 过热怎么办?
    解决办法:检查散热器是否正确安装,并增加散热片或风扇以增强散热效果。确保在高温环境下工作的设备具有足够的通风。

    2. 问题:栅极电阻设置不当怎么办?
    解决办法:根据实际需求调整栅极电阻的大小。较小的栅极电阻有助于加快开关速度,但会增加栅极损耗。合理平衡开关速度和损耗是关键。

    3. 问题:出现异常噪声怎么办?
    解决办法:检查 PCB 布局是否有潜在的电磁干扰(EMI)问题,适当屏蔽敏感信号线,并优化布局设计。

    总结和推荐


    综合评估:
    STP22NE03 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高效率的电能转换和电机控制应用。其低导通电阻和良好的热管理能力使得其在众多应用中表现出色。
    推荐结论:
    基于其优异的性能、广泛的适用性和可靠的供应支持,我们强烈推荐使用 STP22NE03。对于需要高效、稳定电源转换的应用场合,这款 MOSFET 将是一个理想的选择。

STP22NE03-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

STP22NE03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STP22NE03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STP22NE03-VB STP22NE03-VB数据手册

STP22NE03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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