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FMZ06N90E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,900V,7A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
供应商型号: FMZ06N90E-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMZ06N90E-VB

FMZ06N90E-VB概述

    FMZ06N90E N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    FMZ06N90E 是一款高性能的N沟道900V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它特别适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明等领域。该产品的主要特点是超低导通电阻和高击穿电压,使其在各种电力转换应用中表现出色。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源电压(VDS) | 900 V |
    | 最大漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.85 Ω (VGS=10V) |
    | 最大栅极电荷(Qg) | 26 nC |
    | 输入电容(Ciss) | 73 pF |
    | 输出电容(Coss) | - |
    | 反向传输电容(Crss) | - |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 192 mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 99 W |
    | 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg) | -55到+150 °C |
    | 额定最大栅源电压(VGS) | ±30 V |

    3. 产品特点和优势


    - 低RON x Qg系数:显著降低了开关和导通损耗。
    - 低输入电容(Ciss):降低了驱动损耗,提高了工作效率。
    - 低栅极电荷(Qg):实现了更快的开关速度,减少了能耗。
    - 高雪崩能量额定值(UIS):确保了更高的可靠性和稳定性。
    - 单脉冲雪崩能量:达到192 mJ,适合高电流应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    FMZ06N90E 在多种电力转换系统中得到了广泛应用,如服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源等。对于这些应用,推荐使用合适的驱动电路来减少开关损耗,并注意散热设计以避免过热损坏。
    应用案例:
    - 服务器电源:在数据中心中用于高效能的电源转换,减少能量损失。
    - 荧光灯电源:通过提高转换效率,降低整体功耗,延长灯具寿命。

    使用建议:
    - 散热管理:考虑到最大结温为150°C,合理设计散热系统是关键。
    - 驱动电路优化:使用适当的驱动电压和电阻来减少栅极驱动损耗。

    5. 兼容性和支持


    FMZ06N90E 与多种电力转换系统兼容,包括常见的DC-DC转换器和AC-DC转换器。制造商提供了详细的规格和技术支持文档,以便客户更好地理解和使用该产品。此外,该产品符合RoHS标准,确保了环保合规性。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:参考数据手册中的栅极阈值电压(VGS(th)),通常为2至4V。选择高于此值但不超过±30V的驱动电压,以确保安全操作。
    问题2:如何防止过热损坏?
    - 解决方案:合理设计散热路径,并监测结温。如果超过规定范围,需采取措施降温或降低工作负载。

    7. 总结和推荐


    FMZ06N90E N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET 是一款高效的电力转换器件,具备低导通电阻、高雪崩能量和快速开关特性。该产品非常适合需要高可靠性和高效能的应用场合。总体而言,FMZ06N90E 的性能优异,推荐在服务器、电信和工业电源转换系统中使用。
    本文档详细介绍了FMZ06N90E的技术特性和应用细节,希望能帮助您更好地理解和使用该产品。如需进一步的技术支持,请联系我们的客户服务团队,电话:400-655-8788。

FMZ06N90E-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 900V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FMZ06N90E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMZ06N90E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FMZ06N90E-VB FMZ06N90E-VB数据手册

FMZ06N90E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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