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IRLR3303PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: IRLR3303PBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR3303PBF-VB

IRLR3303PBF-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本产品是一款N沟道30V耐压的MOSFET,型号为IRLR3303PBF。它采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术,适用于服务器、电源OR-ing以及其他直流/直流转换应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):30 V
    - 零栅极电压漏电流 \( I{DSS} \):1 μA
    - 最大工作温度:175°C
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \):90 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):200 A
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):\( 0.007 \Omega \)(\( V{GS} = 10 V \),\( ID = 21.8 A \))
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \):2201 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):525 pF
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \):32°C/W
    - 最大结到壳体热阻 \( R{thJC} \):0.5°C/W

    产品特点和优势


    - 高效能
    - 高导通电阻 \( R{DS(on)} \),确保低损耗运行,特别是在高电流条件下。
    - 可靠性
    - 通过了严格的测试,包括100% \( Rg \) 和UIS测试。
    - 兼容性
    - 符合RoHS标准,确保环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 服务器电源:在数据中心服务器电源系统中,用于电力管理和转换。
    - OR-ing电路:防止多电源系统之间发生反向电流流动,保护电源设备。
    - 使用建议
    - 在选择工作温度时,考虑到该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C,可以在广泛的工业环境中使用。
    - 在大电流应用中,需要注意散热管理以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性
    - 该MOSFET具有良好的通用性,可以方便地集成到现有的电路设计中。
    - 技术支持
    - 厂商提供详尽的技术文档和使用指南,用户可以通过官方服务热线获取进一步的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过高的热阻?
    - 解决方案:加强散热措施,例如增加散热片或使用外部散热器。

    - 问题2:如何减少漏电流?
    - 解决方案:确保焊接质量良好,并遵循正确的安装规范,避免短路和过载。

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET IRLR3303PBF以其高效的导通电阻、可靠的设计和广泛的适用性在市场上具有明显的优势。它特别适合于服务器电源和其他需要高效电能转换的应用。综合考虑,我们强烈推荐此产品给需要高性能和高可靠性的应用领域。

IRLR3303PBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR3303PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR3303PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR3303PBF-VB IRLR3303PBF-VB数据手册

IRLR3303PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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