处理中...

首页  >  产品百科  >  STB95N4LF3-VB

STB95N4LF3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,100A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263适用于中功率和中电压的场合,可广泛应用于各种电子设备和模块中。
供应商型号: STB95N4LF3-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STB95N4LF3-VB

STB95N4LF3-VB概述

    N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 是一款适用于多种电源管理应用的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其主要用于直流开关、逆变器、电机驱动和其他电力电子应用。该型号具有出色的热稳定性和高可靠性,能够承受极端的工作温度条件。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 40 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 最大连续漏电流 \( ID \) (在 \( TJ = 150^\circ \text{C} \)): 100 A (在 \( TC = 25^\circ \text{C} \)), 60 A (在 \( TC = 125^\circ \text{C} \))
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 220 A (t = 100 μs)
    - 性能参数
    - 漏极-源极导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 30 \text{A} \) 下为 0.005 Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5 \text{V}, ID = 30 \text{A} \) 下为 0.006 Ω
    - 总栅电荷 \( Qg \) (典型值): 53 nC
    - 输入电容 \( C{iss} \) (典型值): 3330 pF
    - 工作环境
    - 运行结温和存储温度范围: \( -55^\circ \text{C} \) 至 \( 175^\circ \text{C} \)
    - 热阻抗: 结至空气 \( R{thJA} \) 为 40 °C/W,结至管壳 \( R{thJC} \) 为 0.75 °C/W

    产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术: 提供出色的性能和可靠性,确保在高功率应用中的稳定运行。
    - 高温耐受性: 支持最高可达 175°C 的结温,使其适用于极端温度环境。
    - 全面测试: 所有产品均经过 Rg 和 UIS 测试,确保性能一致性和高可靠性。
    - 高效率: 低 \( R{DS(on)} \),有助于提高系统的整体效率,降低功耗。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于电动车辆(EV)充电站、太阳能逆变器和各种电源管理模块。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中使用时,确保电路设计合理以避免过热。
    - 根据实际应用需求选择合适的 \( V{GS} \) 和 \( ID \) 参数,以优化性能。
    - 对于高频开关应用,注意寄生电容的影响,尽量减少电路中的杂散电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的 TO-263 封装标准兼容,可以轻松替换其他同类型的 MOSFET。
    - 支持和服务: 供应商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决任何潜在的应用问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 高温工作时,是否需要特殊冷却措施?
    - A: 在极端温度下工作时,推荐采用散热片或液冷系统来增强热管理,确保安全运行。
    - Q: 如何确定最适合的应用参数?
    - A: 参考技术手册中的图表和参数,根据具体应用需求选择合适的 \( V{GS} \) 和 \( ID \)。

    总结和推荐


    N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 是一款性能优越的功率 MOSFET,具备高温耐受性、高效能和稳定性,非常适合高功率应用。其 ThunderFET® 技术使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐在涉及高功率管理的应用中使用这款产品。

STB95N4LF3-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STB95N4LF3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STB95N4LF3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STB95N4LF3-VB STB95N4LF3-VB数据手册

STB95N4LF3-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
800+ ¥ 2.4839
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0