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B55NF06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: B55NF06-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) B55NF06-VB

B55NF06-VB概述

    B55NF06-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    B55NF06-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的60V耐压N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用了TrenchFET®技术,使其具备出色的电流承载能力和热稳定性。B55NF06-VB 广泛应用于电源管理、逆变器和电机驱动等领域,适合于高功率、高频的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60V
    - 最大结温(TJ): 175°C
    - 连续漏极电流(ID): 75A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200A
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 最高功耗(PD): 136W
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V 时为 11mΩ
    - VGS = 4.5V 时为 12mΩ
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 125mJ
    - 输入电容(Ciss): 4300pF
    - 输出电容(Coss): 470pF
    - 反向传输电容(Crss): 225pF
    - 总栅极电荷(Qg): 47nC
    - 栅极至源极电荷(Qgs): 10nC
    - 栅极至漏极电荷(Qgd): 12nC
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    B55NF06-VB MOSFET 的核心优势在于其高性能和可靠性。具体特点如下:
    - 高温工作能力:结温高达175°C,使其能够在极端环境下稳定工作。
    - 低导通电阻:通过TrenchFET®技术,实现低至11mΩ的导通电阻,有助于降低电路损耗。
    - 大电流处理能力:最高可达75A的连续漏极电流,非常适合高功率应用。
    - 快速开关性能:开关时间和延迟时间短,响应速度快。
    - 高可靠性:采用先进的封装技术,确保长时间运行的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    B55NF06-VB MOSFET 主要应用于电源管理、逆变器和电机驱动系统。以下是几种典型应用场景及使用建议:
    - 电源管理:由于其出色的电流承载能力和低导通电阻,适用于高效率的DC-DC转换器。
    - 逆变器:其耐高压特性和高功率处理能力使其成为太阳能逆变器和工业逆变器的理想选择。
    - 电机驱动:利用其高速开关性能,提高电机控制系统的精度和效率。
    建议用户在设计应用电路时注意以下几点:
    - 散热设计:考虑适当的散热措施,以避免因过热导致的损坏。
    - 匹配驱动电路:确保驱动电路能够提供足够的栅极电压和电流,以确保MOSFET正常工作。
    - 保护电路:增加必要的保护措施,如过流保护和过热保护,以增强系统可靠性。

    兼容性和支持


    B55NF06-VB MOSFET 与大多数标准D2PAK封装兼容。厂商提供详尽的技术支持,包括应用指南、数据手册和设计软件工具,以帮助客户顺利集成和调试产品。

    常见问题与解决方案


    在使用过程中,可能会遇到以下常见问题及对应的解决方案:
    - 问题1:产品过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇。
    - 问题2:电流不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路和外部电源是否稳定,必要时增加滤波电容。
    - 问题3:栅极噪声干扰
    - 解决方案:使用屏蔽线缆并缩短驱动线路长度,以减少干扰。

    总结和推荐


    B55NF06-VB MOSFET 是一款性能卓越、可靠性高的电子元器件,适用于多种高功率应用场合。其优异的高温工作能力、低导通电阻和快速开关性能使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高效能和高可靠性的应用场景,强烈推荐使用该产品。如果您有任何疑问或需要技术支持,可以联系VBsemi的服务热线400-655-8788,获取更多帮助和支持。

B55NF06-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

B55NF06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

B55NF06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 B55NF06-VB B55NF06-VB数据手册

B55NF06-VB封装设计

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