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B264L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: B264L-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) B264L-VB

B264L-VB概述


    产品简介


    产品名称:B264L-VB N-Channel 60V MOSFET
    产品类型:这是一款采用沟槽技术(TrenchFET®)的功率MOSFET,专门设计用于高效率的应用场合。
    主要功能:具备低热阻封装,确保在大电流下仍能保持稳定的工作状态。同时具备优良的电气特性和可靠性,支持广泛的电气参数范围。
    应用领域:广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备和消费电子等需要高效率、高可靠性的领域。

    技术参数


    - VDS (V):60V
    - RDS(on) (Ω):在VGS=10V时为0.0028Ω,在VGS=4.5V时为0.0120Ω
    - ID (A):210A
    - 配置:单通道
    - 其他关键参数:
    - 连续漏源电压:60V
    - 漏极连续电流:210A(TC=125°C)
    - 最大耗散功率:375W(TC=125°C)
    - 热阻:40°C/W(Junction-to-Ambient)
    - 工作温度范围:-55°C到+175°C
    - 符合RoHS标准,无卤素,且经过UIS测试和全栅极电阻测试

    产品特点和优势


    - 环保特性:符合RoHS标准和IEC 61249-2-21无卤素标准,适用于对环保要求较高的应用。
    - 高可靠性:通过了UIS测试和全栅极电阻测试,确保在高功率应用中的可靠性。
    - 高效率:采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻,可以有效降低功耗。
    - 低热阻封装:Junction-to-Ambient热阻仅为40°C/W,能够高效散热,提升工作效率。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在开关电源的设计中,B264L-VB MOSFET可以提供高效的能量转换和稳定的输出,特别是在大电流负载的情况下表现优异。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,B264L-VB MOSFET可以提供足够的驱动能力,减少热损耗,提高电机的运行效率。
    - 通信设备:通信设备中的高频信号处理要求低噪声和高精度,B264L-VB MOSFET凭借其低阈值电压和高耐压特性,可以在这些应用中发挥重要作用。
    使用建议:在高功率应用中,建议使用大尺寸的PCB以提高散热效果;同时,确保电路布局合理,避免寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:B264L-VB MOSFET与现有的D2PAK (TO-263) 封装兼容,可以方便地替换现有设计中的其他MOSFET型号。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供了详细的技术支持和售后服务,包括在线技术支持、电话咨询(400-655-8788)等,确保用户能够及时获得所需的支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何判断产品是否正常工作?
    - A:可以通过测量其导通电阻RDS(on) 和漏源电压VDS 来验证其性能。在额定条件下,RDS(on) 应符合技术规格书中的规定。
    2. Q:产品能否承受极端温度条件?
    - A:B264L-VB MOSFET具有宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C),适用于大多数极端温度环境。但在极高温度下长时间工作可能会导致性能下降,需要注意散热措施。
    3. Q:产品是否支持快速开关操作?
    - A:是的,该产品具有良好的开关性能,最大脉冲电流IDM可达480A,适用于快速开关应用。确保在设计中适当考虑其开关速度和功率损耗。

    总结和推荐


    B264L-VB MOSFET凭借其出色的性能参数和可靠性,非常适合应用于开关电源、电机驱动及通信设备等需要高效能、高可靠性的领域。其独特的环保特性、高效率和低热阻封装使其在市场上具备很强的竞争优势。强烈推荐使用这款产品进行高效率、高可靠性的设计应用。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,可以随时联系台湾VBsemi公司的服务热线(400-655-8788)。

B264L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
Id-连续漏极电流 210A
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

B264L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

B264L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 B264L-VB B264L-VB数据手册

B264L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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