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SI3447DV-T1-E3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-SI3447DV-T1-E3-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI3447DV-T1-E3-VB

SI3447DV-T1-E3-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET SI3447DV-T1-E3 技术手册

    产品简介


    产品名称: P-Channel 30-V MOSFET
    型号: SI3447DV-T1-E3
    制造商: 台湾VBsemi电子有限公司
    基本介绍:
    - 类型: P沟道增强型功率MOSFET
    - 主要功能: 开关电源应用中的负载开关
    - 应用领域: 适用于各种负载开关和直流电路保护场合

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 额定漏源电流 (ID):
    - TC = 25°C 时: 4.8A
    - TC = 70°C 时: 4.1A
    - 漏源通态电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V 时: 0.049Ω
    - VGS = -4.5V 时: 0.054Ω
    - 零门极电压漏电流 (IDSS):
    - VDS = -30V 时: 1µA
    - 转导电容 (Ciss):
    - VDS = -15V, VGS = 0V 时: 450pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = -15V, VGS = -10V 时: 10-15nC
    - 栅极电阻 (Rg): 7Ω
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 高效节能: 低RDS(on)值确保更低的功耗,提高系统效率。
    - 高可靠性: 符合IEC 61249-2-21标准,无卤材料制造。
    - 快速开关: 快速的开关时间有助于减少功率损耗。
    - 紧凑设计: 小巧的TSOP-6封装便于集成于电路板上。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 负载开关: 常用于电源管理和控制。
    - 直流电路保护: 在各种电源系统中用于过流保护。
    - 使用建议:
    - 确保电路在高温环境中也能正常工作,需考虑散热措施。
    - 在设计开关电源时,应根据具体的应用场景选择合适的VGS电压以保证最佳的RDS(on)性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: SI3447DV-T1-E3与大多数电路板兼容,适用于多种PCB设计。
    - 支持与维护: 台湾VBsemi电子有限公司提供全方位的技术支持和服务,包括但不限于产品安装、调试和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关速度慢
    - 解决方案: 确保正确的门极驱动电压,检查栅极电阻和电路布局。

    - 问题2: 过热
    - 解决方案: 使用适当的散热片或散热器,确保良好的热传导。

    - 问题3: 输出不稳定
    - 解决方案: 检查电路连接是否牢固,确认负载电流不超过额定值。

    总结和推荐


    SI3447DV-T1-E3是一款高性能的P沟道功率MOSFET,具有优秀的能效和可靠性。它广泛应用于各种负载开关和直流电路保护中。结合其快速的开关特性和出色的耐温性能,使得该产品在电力电子应用中表现出色。因此,强烈推荐该产品给需要高可靠性和高效性能的工程师和设计师们。

SI3447DV-T1-E3-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Id-连续漏极电流 4.8A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI3447DV-T1-E3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI3447DV-T1-E3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI3447DV-T1-E3-VB SI3447DV-T1-E3-VB数据手册

SI3447DV-T1-E3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1266
50+ ¥ 1.0603
150+ ¥ 0.9463
500+ ¥ 0.7091
3000+ ¥ 0.6826
9000+ ¥ 0.6627
库存: 58
起订量: 5 增量: 3000
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最小起订量为:5
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