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FQD13N06TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: FQD13N06TF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD13N06TF-VB

FQD13N06TF-VB概述

    FQD13N06TF N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQD13N06TF 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻和高可靠性等特点。这种MOSFET特别适用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器和电机驱动等应用场景。

    技术参数


    以下是FQD13N06TF的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 最大漏极连续电流 (ID): 18A(在25℃时),14A(在70℃时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 25A
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.0 - 3.0V
    - 开启状态下的漏极电流 (ID(on)): 20A(在VDS≥10V时)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS=10V时: 0.073Ω
    - 在VGS=4.5V时: 0.085Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 660pF
    - 输出电容 (Coss): 85pF
    - 反向传输电容 (Crss): 40pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 19.8nC
    - 栅极电阻 (Rg): 0.4 - 2Ω
    - 工作环境温度: -55至150℃
    - 热阻抗:
    - 结点到环境热阻抗 (RthJA): 60°C/W
    - 结点到外壳热阻抗 (RthJC): 3°C/W

    产品特点和优势


    FQD13N06TF 的主要特点和优势如下:
    - 高可靠性: 通过100%栅极电阻测试和雪崩耐受测试。
    - 低导通电阻: 在不同电压和电流条件下的导通电阻都非常低,有助于降低功耗和提高效率。
    - 先进的TrenchFET技术: 提供更小的封装尺寸和更高的功率密度。
    - 广泛的温度范围: 能够在极端环境下可靠运行,适用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景: 主要应用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器和电机驱动等领域。
    - 使用建议: 在设计电路时需考虑散热措施,以确保设备在高温环境下也能正常工作。例如,可以采用大面积散热片或散热风扇来辅助散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品支持标准的TO-252封装,易于与其他电子元器件或设备集成。
    - 支持: VBsemi公司提供详细的用户手册和技术支持服务,用户可通过400-655-8788联系客服进行咨询和反馈。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下工作时,MOSFET温度过高。
    - 解决方案: 添加散热片或散热风扇,优化散热设计。
    - 问题: 开关速度不够快。
    - 解决方案: 检查电路中的RC参数,适当调整栅极电阻值以优化开关速度。
    - 问题: 需要更高的额定电流。
    - 解决方案: 使用多个并联的MOSFET以增加总的额定电流。

    总结和推荐


    FQD13N06TF 是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET,非常适合用于各种电力电子应用。其低导通电阻、高可靠性及宽泛的工作温度范围使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,强烈推荐用户在相关应用场景中使用这款产品。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,可联系VBsemi公司的客户服务团队。

FQD13N06TF-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD13N06TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD13N06TF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD13N06TF-VB FQD13N06TF-VB数据手册

FQD13N06TF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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