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IPP05N03LBG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: IPP05N03LBG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP05N03LBG-VB

IPP05N03LBG-VB概述

    IPP05N03LB G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP05N03LB G-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,提供出色的性能和可靠性。此款 MOSFET 主要应用于 OR-ing、服务器和 DC/DC 转换器等领域。它具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性,使其成为各种工业和消费电子应用的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):120A(TJ = 175°C)
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.003Ω(VGS = 10V);0.004Ω(VGS = 4.5V)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):64.8V
    - 最大功率耗散 (PD):250W(TC = 70°C)
    - 绝对最大额定值
    - 热阻 (RthJA):32°C/W(典型值),40°C/W(最大值)
    - 热阻 (RthJC):0.5°C/W(典型值),0.6°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    IPP05N03LB G-VB MOSFET 的主要特点是:
    - TrenchFET® 技术:提高了效率和导电性能。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量。
    - 符合 RoHS 指令 2011/65/EU:环保材料,安全可靠。
    - 低导通电阻:0.003Ω(VGS = 10V),0.004Ω(VGS = 4.5V),适用于高电流应用。

    应用案例和使用建议


    IPP05N03LB G-VB MOSFET 可以用于多种应用场合,如:
    - OR-ing 应用:例如电源系统中的负载共享。
    - 服务器应用:提供稳定的电力供应。
    - DC/DC 转换器:提高转换效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需要考虑 MOSFET 的散热要求,尤其是在高电流应用中。
    - 选择合适的 PCB 布局以优化散热效果。
    - 使用适当的驱动电路以确保可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    IPP05N03LB G-VB MOSFET 与多种标准 PCB 尺寸兼容,可以方便地集成到现有的设计中。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    问题 1:MOSFET 过热。
    - 解决方法:检查电路设计,确保合理的散热措施。增加散热片或使用外部冷却系统。
    问题 2:电路不稳定。
    - 解决方法:检查驱动电路和门极电阻设置。调整门极电阻以优化开关时间。
    问题 3:漏极电流不稳定。
    - 解决方法:检查负载条件,确保稳定的工作环境。检查 PCB 布局,确保良好的信号完整性。

    总结和推荐


    IPP05N03LB G-VB MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于各种工业和消费电子产品。其低导通电阻、高可靠性以及广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐此款产品给需要高效、可靠的电力控制解决方案的工程师和设计师们。
    联系方式:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

IPP05N03LBG-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP05N03LBG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP05N03LBG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP05N03LBG-VB IPP05N03LBG-VB数据手册

IPP05N03LBG-VB封装设计

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