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STU410S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: STU410S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STU410S-VB

STU410S-VB概述

    STU410S N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    STU410S 是一款高性能的 N-沟道 40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾 VBsemi 电子有限公司生产。这款 MOSFET 使用 TrenchFET® 技术,适用于多种高功率应用。它主要用于电源管理和控制,包括 OR-ing 应用、服务器、以及 DC/DC 转换等领域。该器件符合 RoHS 指令 2011/65/EU 的标准,确保其环保合规性。

    技术参数


    - 最大电压:VDS = 40 V
    - 漏极-源极导通电阻:RDS(on) = 0.013 Ω @ VGS = 10 V;0.01 Ω @ VGS = 4.5 V
    - 连续漏极电流:ID = 15.8 A @ TA = 25 °C;45 A @ TC = 70 °C
    - 脉冲漏极电流:IDM = 200 A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 94.8 mJ
    - 最大耗散功率:PD = 100 W @ TC = 25 °C;75 W @ TC = 70 °C
    - 热阻抗:RthJA = 32 °C/W @ t ≤ 10 秒;RthJC = 0.5 °C/W(稳态)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 1.5 V ~ 2.5 V
    - 输入电容:Ciss = 725 pF @ VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容:Coss = 570 pF @ VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 总栅电荷:Qg = 85 nC ~ 120 nC @ VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 38.8 A

    产品特点和优势


    STU410S 的独特之处在于其使用了 TrenchFET® 技术,这使得其具有更低的导通电阻和更高的效率。此外,该器件经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保了其可靠性。该器件不仅适用于高功率应用,还具有出色的热性能和耐用性。这些特点使其在市场上具备很强的竞争优势,特别是在高功率电源管理领域。

    应用案例和使用建议


    STU410S 主要应用于 OR-ing 应用、服务器和 DC/DC 转换等高功率场景。例如,在 OR-ing 应用中,STU410S 可以实现高效并联操作,从而提高系统的可靠性和效率。在服务器应用中,它可以用于高效的电源管理,降低功耗并提升系统稳定性。使用时建议根据具体应用场景选择合适的 VGS 设置,以确保最佳性能。同时,应考虑散热设计,避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    STU410S 采用 TO-252 封装,易于安装且与大多数 PCB 设计兼容。台湾 VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。此外,该器件支持 RoHS 标准,符合环保要求。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确设置栅极电压?
    - 解决方案:根据应用场景选择合适的 VGS 设置。例如,对于高电流应用,建议设置 VGS = 10 V 以获得较低的 RDS(on)。参阅技术手册中的输出特性曲线,找到最适合您应用的 VGS 值。
    2. 问题:如何进行散热设计?
    - 解决方案:确保 PCB 设计中有足够的散热区域,并使用适当的散热材料。参考技术手册中的热阻抗数据,计算所需的散热器大小和位置。
    3. 问题:如何测试器件的雪崩能力?
    - 解决方案:使用适当的测试设备和电路配置,参考技术手册中的测试条件进行测试。确保在测试过程中不会超过绝对最大额定值。

    总结和推荐


    STU410S N-Channel 40-V MOSFET 是一款高效可靠的功率 MOSFET,适用于多种高功率应用。其优异的导通电阻和热性能使其成为电源管理和控制的理想选择。台湾 VBsemi 提供了全面的技术支持和文档,帮助客户快速上手和优化设计。因此,我强烈推荐此产品用于需要高效、可靠功率管理的应用场合。

STU410S-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STU410S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STU410S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STU410S-VB STU410S-VB数据手册

STU410S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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