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P06B03LVG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: P06B03LVG-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P06B03LVG-VB

P06B03LVG-VB概述


    产品简介


    Dual P-Channel 30-V MOSFET
    P06B03LVG 是一款双沟道P通道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET® 技术制造。它主要用于负载开关应用,具备无卤素、100% UIS测试通过等特点。此产品适用于多种电路设计需求,提供高效的电流控制和低导通电阻。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (TC = 25°C): 7.3 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 32 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 5.0 W
    - 典型参数
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V时:0.03 Ω
    - VGS = -4.5 V时:0.04 Ω
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = -15 V, VGS = -10 V时:32 nC
    - VDS = -15 V, VGS = -4.5 V时:15 nC
    - 输出电容 (Coss): 215 pF
    - 逆向传输电容 (Crss): 185 pF
    - 前向转导系数 (gfs): 23 S
    - 热阻 (RthJA): 38 °C/W(脉冲测试)


    产品特点和优势


    - 无卤素设计:满足环保要求,符合RoHS标准。
    - TrenchFET®技术:保证高效率和低功耗。
    - 高可靠性:100% UIS测试通过。
    - 低导通电阻:最小0.029 Ω,确保高效的电流控制。
    - 快速开关性能:优化的栅电荷和输出电容特性,适合高速切换应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:P06B03LVG 主要应用于负载开关领域,例如电池充电电路、电源管理模块等。它的高可靠性使其在高功率系统中表现出色。
    使用建议:
    - 在进行电路设计时,确保漏源电压不超过30V。
    - 为了提高散热效果,可以增加散热片或使用热管理材料。
    - 在高频应用中,应特别关注栅电荷的影响,合理选择驱动电路以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    兼容性:P06B03LVG 封装为SO-8,与其他同类封装的产品兼容性良好。此外,该产品符合RoHS和无卤素标准,适用于广泛的应用场景。
    支持和服务:VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利地将该产品集成到自己的设计方案中。如有任何技术问题,可通过公司服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法达到预期的电流能力。
    解决方法:检查电路设计,确保正确的散热措施。必要时,使用散热片或散热器来降低热阻。
    2. 问题:出现异常发热现象。
    解决方法:确认是否有短路情况发生,同时检查是否正确选择了散热方案。如果需要,增加散热措施,如增加散热片。
    3. 问题:开关性能不佳。
    解决方法:优化驱动电路设计,降低栅电荷的影响。确保驱动信号的质量,以获得更好的开关性能。

    总结和推荐


    P06B03LVG是一款高性能的双P通道30V MOSFET,具备出色的导通电阻和快速开关性能。其无卤素、高可靠性等优点使其成为负载开关领域的理想选择。结合其良好的兼容性和强大的技术支持,强烈推荐在各种高功率和高频率应用中使用此产品。

P06B03LVG-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 15nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P06B03LVG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P06B03LVG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P06B03LVG-VB P06B03LVG-VB数据手册

P06B03LVG-VB封装设计

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