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SUD50N06-09L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: SUD50N06-09L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUD50N06-09L-VB

SUD50N06-09L-VB概述


    产品简介


    产品名称: SUD50N06-09L N-Channel MOSFET
    产品类型: 电压控制型电子开关
    主要功能:
    - 实现高电流的通断控制
    - 高效的能量转换与控制
    - 在严苛的工作环境下保持稳定性能
    应用领域:
    - 工业自动化控制系统
    - 电源管理系统
    - 电动汽车充电设备
    - 高频逆变电源
    - 通信基础设施

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压: 60 V (VDS)
    - 栅极阈值电压: 1.23 V (VGS(th))
    - 零栅极电压漏极电流: <1 μA (IDSS)
    - 最大连续漏极电流 (TJ=175°C): 60 A (ID)
    - 导通电阻 (VGS=10 V): 0.010 Ω (RDS(on))
    - 前向跨导: 60 S (gfs)
    - 输出电容 (Coss): 470 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 225 pF
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 2650 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 47-70 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 10 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 12 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 10-20 ns
    - 上升时间 (tr): 15-25 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 35-50 ns
    - 下降时间 (tf): 20-30 ns
    绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ=175°C): 60 A (ID)
    - 单脉冲最大能量 (L=0.1mH, Duty Cycle ≤ 1%): 125 mJ (EAS)
    - 最大功率耗散 (TC=25°C): 136 W (PD)
    - 最大结温及存储温度范围: -55°C 至 175°C (TJ, Tstg)

    产品特点和优势


    - 耐高温特性: 能够承受高达175°C的结温(Junction Temperature),适用于极端工作环境。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 结构上采用了先进的沟槽技术,提升了器件的整体性能,降低了导通电阻,提高了效率。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 确保在工作条件下有极低的损耗,适用于需要高效率的电路设计。
    - 快速开关特性: 较短的开关延迟时间和上升/下降时间,可以有效减少开关损耗,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 工业自动化: 在电机驱动和伺服控制等领域,需要高效的电流控制能力。
    - 电动汽车: 用于电池管理系统中的充电与放电控制,保障安全可靠运行。
    - 高频逆变电源: 由于具备快速开关特性,非常适合于高频逆变器的设计。
    使用建议:
    - 在选择工作条件时,考虑工作环境的温度范围,避免超过器件的额定结温。
    - 针对高频应用,注意优化外围电路设计以减少杂散电感的影响,确保系统的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: SUD50N06-09L 可直接替换现有标准 TO-252 封装的 MOSFET,便于客户升级现有的电路设计。
    - 支持和服务: 客户可联系 VBsemi 的技术支持团队,获取详细的产品资料、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开启时间过长。
    - 解决方案: 检查栅极电阻 (Rg),适当减小 Rg 可加快开关速度。

    2. 问题: 导通电阻增大。
    - 解决方案: 确保工作环境温度不超过器件的额定温度范围,检查是否受到温度影响。
    3. 问题: 关断时间过长。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,确保驱动信号强度足够。

    总结和推荐


    综合评估: SUD50N06-09L N-Channel MOSFET凭借其卓越的耐高温特性、低导通电阻和快速开关能力,成为了工业、汽车和通信领域中不可多得的高效能电子元件。特别适合需要高效率和高速度的电路设计。
    推荐使用: 强烈推荐在需要高可靠性、高性能的应用场合中使用此款 MOSFET。对于追求极致效率和工作温度适应性的设计,SUD50N06-09L 是理想的选择。

SUD50N06-09L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUD50N06-09L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUD50N06-09L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUD50N06-09L-VB SUD50N06-09L-VB数据手册

SUD50N06-09L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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