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FQD13N10LTF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: FQD13N10LTF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD13N10LTF-VB

FQD13N10LTF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的电子元器件,适用于广泛的工业应用。该产品采用TrenchFET®技术,能够提供高效的电力转换和开关控制。它的主要应用领域包括电源管理和电机驱动等。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 最大漏源电压(VDS):100 V
    - 最小栅极阈值电压(VGS(th)):2.5 V
    - 最大零栅极电压漏电流(IDSS):1 μA @ 100 V
    - 最小输入电容(Ciss):950 pF
    - 最大导通电阻(RDS(on)):0.140 Ω @ 10 V, 3 A
    - 性能参数:
    - 最大连续漏极电流(ID):13 A @ TC = 25°C,40 A @ TC = 125°C
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):40 A
    - 最大源极电流(IS):3 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):18 mJ
    - 最大功率耗散(PD):96 W @ TC = 25°C
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 电气特性:
    - 动态特性:上升时间(tr):50 ns 至 75 ns
    - 关断延时时间(td(off)):30 ns 至 45 ns
    - 关断延时时间(tf):60 ns 至 90 ns
    - 工作环境:
    - 环境温度:-55°C 至 175°C
    - 最大稳态热阻抗(RthJA):15°C/W 至 18°C/W
    - 最大瞬态热阻抗(RthJC):0.85°C/W 至 1.1°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 高工作温度:能够在高达175°C的结温下稳定工作,适用于恶劣环境。
    - PWM优化:设计用于脉宽调制系统,能够实现高效的电力转换。
    - 全测试:100% Rg测试,确保产品质量。
    - 符合RoHS标准:环保设计,满足欧洲RoHS指令要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 在多个领域都有广泛应用,如电源管理、电机驱动和通信设备。例如,在一个电源管理模块中,它可以作为主侧开关,实现高效能源转换。
    使用建议
    - 散热管理:由于该MOSFET具有较高的热阻抗,需要确保良好的散热措施,以防止过热。
    - 驱动电路设计:考虑使用合适的栅极驱动器,以确保快速而稳定的开关操作。
    - 热稳定性:为了保持性能稳定,避免长时间在高温环境下运行,尤其是在超过125°C时要特别注意。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与各种电源管理和电机驱动电路兼容,建议在具体应用前进行详细的设计验证。
    - 技术支持:VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南、数据手册和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的功率耗散导致过热。
    - 解决方案:增加散热片,或者使用更好的散热材料,以提高热管理效率。
    - 问题:栅极驱动器无法正常工作。
    - 解决方案:检查驱动器的连接是否正确,并确保驱动器输出足够电压来控制MOSFET。
    - 问题:开关速度不够快。
    - 解决方案:使用更低的栅极电阻(Rg),以加快开关速度。

    总结和推荐


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能、高可靠性及广泛的应用领域,是一款值得推荐的产品。其独特的TrenchFET®技术和高工作温度使其成为各种高要求应用的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于需要高效电力转换和稳定开关控制的应用。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系VBsemi公司的客户服务热线:400-655-8788。

FQD13N10LTF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD13N10LTF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD13N10LTF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQD13N10LTF-VB FQD13N10LTF-VB数据手册

FQD13N10LTF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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