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TJ20S04M3L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-TJ20S04M3L TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TJ20S04M3L

TJ20S04M3L概述

    P-Channel 40V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了VBsemi公司的TJ20S04M3L-VB P-Channel 40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品主要应用于电力转换和控制系统中,通过其高效率和低损耗的特点,广泛用于电机控制、电源转换、电池充电等领域。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): -40V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): -1.0V 至 -3.5V
    - 漏源击穿电压 \(BVDSS\): -40V
    - 栅源漏电流 \(IGSS\): ±100nA
    - 性能参数
    - 漏极连续电流 \(ID\): -50A (在125℃时为-39A)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): -200A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): -40A
    - 雪崩能量 \(E{AS}\): 80mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\): 136W (在25℃时),45W (在125℃时)
    - 热阻
    - 结到引线热阻 \(R{thJC}\): 1.1℃/W
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\): 50℃/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    2. 低热阻封装:保证在高功率应用中的散热效率,延长产品寿命。
    3. 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品出厂前经过严格测试,保证可靠性。
    4. 宽温度范围:工作温度范围从-55°C 到 +175°C,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET非常适合用于电机驱动电路、DC-DC转换器和其他需要高功率密度的应用。具体应用建议如下:
    1. 电机驱动电路:将MOSFET作为功率开关,通过调节栅极电压来控制电机的速度和方向。
    2. DC-DC转换器:利用其高开关频率特性,实现高效、低损耗的电源转换。
    使用过程中需注意散热设计,特别是在高功率应用中,应确保良好的散热措施以防止过热。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-252封装,适用于大多数标准PCB布局。厂商提供了详尽的技术支持,包括样品请求、技术咨询和定制服务。此外,厂商还提供了全面的产品文档和设计指南,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或改善PCB散热设计,确保足够的散热面积。
    2. 问题:MOSFET 寿命短。
    - 解决方案:检查并优化驱动电路设计,避免不必要的过压和过流情况。
    3. 问题:MOSFET 开关频率不达标。
    - 解决方案:检查电路板上的电容值是否匹配,重新调整电路参数以优化开关性能。

    总结和推荐


    TJ20S04M3L-VB P-Channel 40V MOSFET凭借其先进的TrenchFET技术、低热阻封装以及广泛的适用温度范围,在电力转换和控制系统中表现出色。其在高功率应用中的稳定性和可靠性使其成为电力管理领域的理想选择。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用该产品。

TJ20S04M3L参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.02Ω@VGS = -10 V,ID = -50 A,TJ = 175 °C(typ)
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 136W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TJ20S04M3L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TJ20S04M3L数据手册

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TJ20S04M3L封装设计

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