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STD12N10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-STD12N10L TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD12N10L

STD12N10L概述

    STD12N10L-VB N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    STD12N10L-VB 是一种 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的性能和高可靠性。它属于TrenchFET®系列,广泛应用于电源转换和控制领域。此款 MOSFET 适用于主侧开关、DC/DC 转换器和逆变器等电路中。产品设计用于能够在高达150°C 的结温下运行,确保其在严苛环境中也能保持稳定性能。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):100V
    - 最大持续漏极电流 (ID):25°C 下为 13A,125°C 下为 40A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):40A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):18mJ
    - 最大功率耗散 (PD):25°C 下为 96W
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):10V 栅源电压时为 0.12Ω(@ 25°C),0.14Ω(@ 175°C)
    - 栅电荷 (Qg):10V 栅源电压时为 24nC
    - 反向恢复时间 (trr):3A 电流时为 180ns

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽栅结构,降低导通电阻并提高热稳定性。
    - 宽温度范围:可在-55°C 到 150°C 的极端温度范围内正常工作。
    - 高可靠性和低噪声:所有产品经过 100% 栅极电阻测试,符合RoHS指令要求。
    - 适配性强:适用于多种电源管理应用,包括主侧开关和高频 PWM 控制。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:在DC/DC 转换器和电机驱动器中,作为主侧开关以实现高效的能量转换和控制。
    - 使用建议:在设计电路时应注意散热问题,特别是在高电流和高温环境下。可以使用适当的散热片和冷却系统来确保良好的热性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:STD12N10L-VB 采用 TO-252 封装,易于集成到现有的 PCB 设计中。其兼容其他常见的 N-Channel MOSFET。
    - 支持和服务:VBsemi 提供专业的技术支持热线 400-655-8788,帮助用户解决使用过程中遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品能否在高湿度环境中长期使用?
    - A: 虽然本产品能在宽温度范围内工作,但长期在高湿度环境中可能会影响其可靠性。建议在高湿度环境下增加防护措施。

    - Q: 在高压应用中如何防止损坏?
    - A: 在高压应用中,请确保正确连接栅极电阻,并在设计时考虑过压保护机制,如 TVS 二极管。

    总结和推荐


    总体而言,STD12N10L-VB N-Channel 100V MOSFET 是一款高效、可靠的功率 MOSFET,特别适合需要高效率和宽温度范围的应用场合。其卓越的导通特性和高可靠性的设计使其成为电源管理和控制领域的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

STD12N10L参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.14Ω@VGS = 10 V,ID = 3 A,TJ = 175 °C
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
最大功率耗散 96W
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STD12N10L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD12N10L数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD12N10L STD12N10L数据手册

STD12N10L封装设计

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