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STD25NF10LA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: STD25NF10LA TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD25NF10LA

STD25NF10LA概述


    产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
    N-Channel MOSFET 是一种常见的电子元器件,属于沟槽型功率MOSFET。它广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。这款MOSFET具有低导通电阻(\(r{DS(on)}\))、高结温耐受能力(175°C)以及较低的热阻抗封装,使其适用于高温环境下的高效运行。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    - 栅源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 100 V
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1 - 3 V
    - 零栅电压漏电流 \(I{DSS}\): 1 µA
    - 最大连续漏极电流 \(ID\): 40 A
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 120 A
    - 最大结温 \(TJ\): 175 °C
    - 最大存储温度范围 \(T{stg}\): -55°C 至 175°C
    - 热阻 \(R{thJA}\): 40 °C/W
    - 热阻 \(R{thJC}\): 1.4 °C/W
    此外,还包含如下特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2600 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 290 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 120 pF
    - 总栅电荷 \(Qg\): 35 - 60 nC

    产品特点和优势


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 具有多项显著的优势:
    1. 高可靠性:该产品可以在高达175°C的结温下正常工作,非常适合在高温环境中使用。
    2. 低导通电阻:低至0.030 Ω的导通电阻(\(r{DS(on)}\)),确保高效的能量转换。
    3. 快速开关速度:良好的栅电荷参数(\(Qg\)),有助于快速的开关动作。
    4. 优异的热性能:低热阻(\(R{thJA}\) 和 \(R{thJC}\)),可以更好地散热,提高稳定性。
    5. RoHS合规性:不含铅的端子,符合RoHS标准,环保安全。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于多种应用场景,例如:
    - 电源管理系统:用于各种电源转换电路中,如开关电源。
    - 电机驱动器:在需要频繁开关的应用中表现良好,如电动机驱动。
    - 汽车电子:因其出色的耐温性能和高可靠性,在车载电子系统中有广泛应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,建议进行充分的散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 根据具体应用场景选择合适的栅极驱动电压,以达到最佳的性能。
    - 注意不要超过绝对最大额定值,避免造成永久损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET支持广泛的电气特性,并且与大多数通用电路兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术支持,包括详细的文档、样品和客户服务。此外,通过电话(400-655-8788)可以获得快速的技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见问题及其解决方案:
    1. 问题:设备过热。
    解决方法:检查散热设计是否足够,增加散热片或风扇以增强散热效果。
    2. 问题:设备无法正常开关。
    解决方法:检查栅极驱动电压是否合适,确保达到阈值电压以上。
    3. 问题:输出不稳定。
    解决方法:检查连接线路是否存在松动或接触不良的情况,确保所有接点可靠连接。

    总结和推荐


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、可靠的MOSFET,具备出色的电气特性和耐高温性能。它的低导通电阻、快速开关速度和优秀的热性能使其在多种应用场景中表现出色。强烈推荐在电源管理、电机驱动和汽车电子等领域中使用。对于需要高温稳定性和高效率的项目,该产品无疑是理想的选择。

STD25NF10LA参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.067Ω@VGS = 10 V,ID = 3 A,TJ = 175 °C
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 60nC
Id-连续漏极电流 40A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 107W
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STD25NF10LA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD25NF10LA数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD25NF10LA STD25NF10LA数据手册

STD25NF10LA封装设计

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