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ZXMP6A18KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-ZXMP6A18KTC TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC概述

    ZXMP6A18KTC-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZXMP6A18KTC-VB 是一款P沟道60V(D-S)功率MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。这款器件采用了TrenchFET®技术,具有出色的开关性能和低导通电阻。主要应用于高边开关、全桥转换器以及LCD显示器的DC/DC转换电路中。

    2. 技术参数


    以下是ZXMP6A18KTC-VB的关键技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 持续漏极电流 \(I{D(TC)}\):
    - 在 \(T{J} = 25°C\) 时为25A
    - 在 \(T{J} = 125°C\) 时为10A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 22A
    - 单脉冲重复雪崩能量 \(E{AS}\): 24.2mJ
    - 最大耗散功率:
    - 在 \(T{C} = 25°C\) 时为38.5W
    - 在 \(T{A} = 25°C\) 时为2.3W
    - 工作温度范围:
    - 工作结温和存储温度范围 \(T{STG}\): -55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS} = -10V\) 时为0.046Ω
    - 在 \(V{GS} = -4.5V\) 时为0.058Ω
    - 零栅源电压漏极电流 \(I{DSS}\): -1μA(在 \(V{DS} = -60V\), \(V{GS} = 0V\), \(T{J} = 125°C\) 条件下)
    - 转移电导 \(g{fs}\): 22S(在 \(V{DS} = -15V\), \(I{D} = -10A\) 条件下)
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 21°C/W(稳态条件下)
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 3.25°C/W

    3. 产品特点和优势


    ZXMP6A18KTC-VB 的主要特点和优势如下:
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准定义,绿色环保。
    - 100% UIS测试:确保器件在极端条件下的可靠性。
    - RoHS合规:符合2002/95/EC指令要求。
    - 低导通电阻:在多种电压和电流条件下保持较低的导通电阻,有助于降低功耗和提高效率。
    - 快速开关性能:优异的动态特性使得其适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMP6A18KTC-VB 的典型应用包括高边开关、全桥转换器和LCD显示器的DC/DC转换电路。对于需要高效率和高速开关的应用,如电动汽车充电系统和无线通信设备中的电源管理模块,该器件表现尤为出色。
    使用建议:
    - 散热管理:由于较高的功耗,建议采用良好的散热设计,例如使用大面积散热片或热管。
    - 布局优化:在PCB设计时,合理布置器件以减少寄生电感和电容的影响。
    - 保护电路:添加适当的保护电路(如过流保护和过压保护)以防止损坏。

    5. 兼容性和支持


    ZXMP6A18KTC-VB 与其他常见的P沟道MOSFET引脚兼容,因此可以直接替换现有的设计方案。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的参考设计文档和样品申请服务。如有任何技术问题,可联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:ZXMP6A18KTC-VB在高温环境下表现不佳。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如使用更大的散热片或加装风扇。
    - 问题:ZXMP6A18KTC-VB在电路中出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路布局,减少杂散电感和电容的影响,或者添加滤波器。
    - 问题:ZXMP6A18KTC-VB的工作电流超过额定值。
    - 解决方案:减小负载电流,或者使用更大额定电流的器件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMP6A18KTC-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,适用于多种应用场合,特别是在高边开关和DC/DC转换器中表现出色。其低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能使其成为电源管理领域的理想选择。建议在需要高效率和稳定性能的应用中使用此器件。

ZXMP6A18KTC参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 53mΩ@10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 25A
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP6A18KTC厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMP6A18KTC数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMP6A18KTC ZXMP6A18KTC数据手册

ZXMP6A18KTC封装设计

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