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SUB85N10-10-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M--SUB85N10-10-GE3 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUB85N10-10-GE3

SUB85N10-10-GE3概述

    SUB85N10-10-GE3-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    SUB85N10-10-GE3-VB 是一款 N 沟道 100V (D-S) 功率 MOSFET,属于 TrenchFET® Power MOSFET 系列。它具有高温度适应性(最大结温可达 175°C)并且符合 RoHS 指令 2002/95/EC。这款 MOSFET 广泛应用于电源转换、电机控制和开关电源等领域。

    技术参数


    以下是 SUB85N10-10-GE3-VB 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 门体漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | - | - | mA |
    | 导通漏极电流 | ID(on) | - | 120 | - | A |
    | 导通漏源电阻 | RDS(on) | 0.010 | 0.023 | 0.030 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 6550 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 665 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 265 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 105 | 160 | nC |
    工作环境:
    - 结温和存储温度范围:-55°C 到 175°C
    - 最大功率耗散(TO-263 和 TO-220AB):250 W

    产品特点和优势


    1. 高耐温性能:结温高达 175°C,适用于高温环境。
    2. 低导通电阻:在不同条件下提供低至 0.010 Ω 的导通电阻,确保高效能。
    3. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,提升性能和可靠性。
    4. RoHS 合规:符合环保要求,无有害物质。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于直流电机驱动、开关电源和逆变器电路中。由于其高温度适应性和低导通电阻,非常适合于需要高性能和高可靠性的场合。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中,确保工作环境不超过绝对最大额定值(如漏源电压 VDS ≤ 100V,栅源电压 VGS ≤ ±20V)。
    - 考虑到其低导通电阻特性,可以用于需要高效能的应用中,例如高频开关电源。

    兼容性和支持


    - 本产品适用于各种电源转换和电机控制应用,与大多数标准电路板兼容。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括安装指南、使用手册和在线客服支持。客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何避免过热?
    - 解决方案:确保电路设计合理,避免长时间过载。散热片或风扇可有效降低器件温度。

    - 问题 2:如何确保安全工作区域?
    - 解决方案:严格按照数据手册中的安全工作区(SOA)指导进行操作。特别注意电压和电流的最大限制。
    - 问题 3:如何处理门极电荷?
    - 解决方案:确保门极驱动器具有足够的容量来管理 Qg(总栅电荷)。建议使用专业的驱动芯片。

    总结和推荐


    SUB85N10-10-GE3-VB 是一款高性能的 N 沟道 100V MOSFET,适用于多种工业应用。其出色的耐温性能、低导通电阻和先进的技术使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。综合来看,我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性和高性能的应用中。

SUB85N10-10-GE3参数

参数
最大功率耗散 250W
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.03Ω@VGS = 10 V,ID = 30 A(typ)
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUB85N10-10-GE3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUB85N10-10-GE3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUB85N10-10-GE3 SUB85N10-10-GE3数据手册

SUB85N10-10-GE3封装设计

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