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STD10NF06LT4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-STD10NF06LT4 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD10NF06LT4

STD10NF06LT4概述

    STD10NF06LT4-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    STD10NF06LT4-VB 是一款 N 沟道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-252 封装。该产品具有卓越的电气特性和可靠性,广泛应用于直流-直流转换器、直流-交流逆变器和电机驱动等领域。其独特的 TrenchFET® 技术使其具备优异的导电能力和低导通电阻,适合于高效率电源管理应用。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气特性参数:
    - 额定电压 (VDS):60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):8A @ TC = 25°C, 1A @ TC = 70°C
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):25A
    - 最大功率耗散 (PD):41.7W @ TC = 25°C, 2.1W @ TA = 25°C
    - 栅源电压 (VGS):± 20V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1µA @ VDS = 60V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.073Ω @ VGS = 10V, ID = 6.6A
    - 输入电容 (Ciss):6pF @ VDS = 30V, VGS = 0V
    - 输出电容 (Coss):85pF
    - 反向传输电容 (Crss):40pF
    - 总栅极电荷 (Qg):19.8nC @ VDS = 30V, VGS = 10V, ID = 6.6A
    - 开关延迟时间 (td(on)):8-16ns @ VDD = 30V, RL = 9.6Ω
    - 关断延迟时间 (td(off)):18-27ns
    - 栅极电阻 (Rg):0.4Ω @ f = 1MHz
    - 结壳热阻 (RthJC):3°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:这种先进技术使得该 MOSFET 具有更低的导通电阻和更高的开关速度。
    2. 高可靠性:100% 的 Rg 和 UIS 测试确保产品的稳定性和可靠性。
    3. 宽温度范围:其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于各种严苛的工作环境。
    4. 低栅源电荷:栅极电荷低,有助于降低功耗并提高效率。
    5. 集成散热设计:引脚与散热片连接,便于快速散热,减少热阻。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换器:用于电信设备、计算机电源等场合,因其高效率和低功耗特性。
    - 直流-交流逆变器:适用于太阳能逆变器、不间断电源系统等。
    - 电机驱动:在机器人、电动工具等场合中,提供高效的电流控制。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,应注意减少寄生电容的影响。
    - 对于高温环境,建议增加散热措施以保证可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 可与其他标准 N 沟道 MOSFET 配套使用,无需额外设计变更。
    - 支持与维护:台湾 VBsemi 公司提供全面的技术支持和客户服务,包括详细的应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的导通电阻导致发热严重
    - 解决方法:检查 VGS 是否足够高,增加栅极驱动电路的功率。
    2. 问题:栅极漏电过大
    - 解决方法:检查电路是否有短路现象,更换绝缘材料或调整电路布局。
    3. 问题:开关速度不够快
    - 解决方法:增加栅极驱动电阻,或使用专用的栅极驱动芯片。

    总结和推荐


    STD10NF06LT4-VB 是一款高性价比、高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围使其成为众多领域的理想选择。我们强烈推荐在相关项目中使用该产品,相信它能显著提升系统的整体性能和稳定性。

STD10NF06LT4参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STD10NF06LT4厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD10NF06LT4数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD10NF06LT4 STD10NF06LT4数据手册

STD10NF06LT4封装设计

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