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50P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-50P03 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 50P03

50P03概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道30V(D-S)MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性等特点。该MOSFET主要用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域,是构建高效电力转换系统的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 集电极-发射极击穿电压(VDS):-30V
    - 漏极连续电流(TJ = 25°C):10A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-240A
    - 冲击击穿电流(IAR):-50A
    - 重复冲击能量(EAR):180mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):-30V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):-1V 至 -3V
    - 栅极体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):-50μA (TJ = 125°C)
    - 正向导通电压(VSD):-1.2V 至 -1.5V (IF = -75A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):1565pF
    - 输出电容(Coss):715pF
    - 反向传输电容(Crss):715pF
    - 总栅极电荷(Qg):160nC 至 240nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):32nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):30nC
    - 开启延迟时间(td(on)):25ns 至 40ns
    - 上升时间(tr):225ns 至 360ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):150ns 至 240ns
    - 下降时间(tf):210ns 至 340ns
    - 反向恢复时间(trr):55ns 至 100ns
    - 峰值反向恢复电流(IRM(REC)):2.5A 至 5A
    - 反向恢复电荷(Qrr):0.07μC 至 0.25μC

    产品特点和优势


    - 高性能:具有出色的低导通电阻(RDS(on)),保证高效的电力转换效率。
    - 可靠性高:符合RoHS标准,无铅焊接,满足环保要求。
    - 宽温范围:可在-55°C至175°C的工作温度范围内稳定工作,适应各种严苛环境。
    - 耐用性强:能承受高达-50A的冲击电流和180mJ的重复冲击能量,确保长期可靠运行。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷低,有利于减少开关损耗,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:适用于各种高频开关电源的设计,能显著提高电源的效率和稳定性。
    - 逆变器:用于电动汽车、太阳能逆变器等场合,提供可靠的电力转换。
    - 电机驱动:可用于工业自动化设备中的电机驱动电路,实现精准控制。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免热失控。
    - 确保正确的栅极驱动信号,避免过高的栅极电压导致MOSFET损坏。
    - 为提高系统可靠性,建议配合合适的外部电路,如退耦电容和瞬态保护器件。

    兼容性和支持


    - 该产品具有广泛的兼容性,可以与其他主流MOSFET驱动器、逆变器和电源管理芯片配套使用。
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q:MOSFET在高温下工作不正常怎么办?
    - A: 检查散热设计是否合理,确保MOSFET周围有足够的散热空间。必要时增加散热片或采用强制风冷。
    2. Q:栅极电压过高导致MOSFET损坏怎么办?
    - A: 确认栅极驱动信号正确,安装合适的栅极电阻以限制栅极电流。使用合适的栅极钳位二极管保护MOSFET。
    3. Q:开关频率过低影响效率怎么办?
    - A: 调整驱动电路,增加开关频率,同时确保MOSFET的耐压等级足够高,以防止过电压损坏。

    总结和推荐


    综上所述,这款P沟道30V MOSFET凭借其优异的性能和广泛的应用范围,在众多同类产品中脱颖而出。它不仅具备高可靠性、低功耗的特点,还能在极端环境中稳定工作。无论是作为电源管理的核心组件,还是在电机驱动、逆变器等领域,都表现出色。因此,强烈推荐使用此款MOSFET,特别是在需要高效率、高可靠性的电力转换系统中。
    如有更多问题或需要技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

50P03参数

参数
最大功率耗散 127W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.019Ω@VGS = -10 V,ID = -30 A,TJ = 175 °C
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

50P03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

50P03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 50P03 50P03数据手册

50P03封装设计

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