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IPG20N10S4L-35

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43W 10V 1.1V 13.4nC 1个N沟道,2个N沟道 100V 35mΩ@ 10V 20A 1.105nF TDSON(EP) 贴片安装 5mm*590cm*1mm
供应商型号: IPG20N10S4L-35
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-35

IPG20N10S4L-35概述

    # IPG20N10S4L-35 OptiMOS™-T2 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPG20N10S4L-35 是一款由 Infineon Technologies 生产的 OptiMOS™-T2 功率晶体管。它属于双通道N沟道增强型晶体管,主要用于电源管理、电机控制、开关电源、照明系统等领域。此晶体管具备高可靠性、高温操作能力和绿色产品认证(符合RoHS标准),并经过100%雪崩测试。

    技术参数


    基本参数
    - 产品型号: IPG20N10S4L-35
    - 封装形式: PG-TDSON-8-4
    - 标记代码: 4N10L35
    性能参数
    - 连续漏极电流: 20A(TC=25°C), 17A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流: 80A
    - 雪崩能量(单脉冲): 60mJ
    - 雪崩电流(单脉冲): 15A
    - 栅源电压: ±16V
    - 功率耗散: 43W(TC=25°C)
    热阻参数
    - 热阻(结至壳): 3.5K/W
    - 热阻(结至环境):
    - 最小面积铜区:100K/W
    - 6cm²冷却区域:60K/W
    电气特性
    - 耐压值: 100V
    - 栅阈值电压: 1.1V~2.1V(典型值1.6V)
    - 零栅电压漏极电流: ≤1μA(TC=25°C),≤100μA(TC=125°C)
    - 导通电阻: ≤35mΩ(VGS=10V,ID=17A)
    - 输入电容: 850pF~1105pF
    - 输出电容: 285pF~370pF
    - 反向传输电容: 30pF~60pF
    其他参数
    - 栅电荷参数:
    - 栅到源电荷: 2.9nC~3.8nC
    - 栅到漏电荷: 3.2nC~6.4nC
    - 总栅电荷: 13.4nC~17.4nC
    - 反向二极管参数:
    - 反向恢复时间: ≤50ns
    - 反向恢复电荷: ≤75nC

    产品特点和优势


    1. AEC-Q101认证:适用于汽车应用,确保高度可靠性和稳定性。
    2. 高温操作能力:工作温度范围为-55°C至+175°C,可适应严苛环境。
    3. 绿色环保:符合RoHS标准,无有害物质。
    4. 高可靠性:通过100%雪崩测试,保证在极端条件下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:适用于高效率的DC-DC转换器和电池充电器。
    - 电机控制:适合于各种电机驱动电路。
    - 照明系统:可用于LED驱动器等应用。
    使用建议
    - 在高负载情况下,建议增加散热措施以避免过热。
    - 考虑使用外部电容器来稳定输入和输出电压,减少开关噪声。

    兼容性和支持


    - 该产品符合SMD标准,易于集成到现有的PCB设计中。
    - Infineon提供详尽的技术文档和应用指南,以便用户更好地了解和使用该产品。
    - 客户可以通过Infineon官方网站获取更多技术支持和售后服务信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过载导致温度过高 | 增加散热片或改进散热设计 |
    | 开关频率不稳定 | 检查外部电容器是否正常 |
    | 工作温度超出范围 | 确保设备处于规定的工作温度范围内 |

    总结和推荐


    IPG20N10S4L-35 OptiMOS™-T2 功率晶体管 是一款高性能的电子元器件,具有高可靠性、宽工作温度范围和绿色环保特性。它在多种应用领域都有出色的表现,尤其适合汽车、工业和消费电子产品。尽管价格较高,但考虑到其卓越的性能和可靠性,强烈推荐使用。

IPG20N10S4L-35参数

参数
栅极电荷 13.4nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.105nF
配置
最大功率耗散 43W
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V
FET类型 1个N沟道,2个N沟道
Vgs-栅源极电压 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 5mm*590cm*1mm
通用封装 TDSON(EP)
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPG20N10S4L-35厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N10S4L-35数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N10S4L-35 IPG20N10S4L-35数据手册

IPG20N10S4L-35封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 4.2405
500+ ¥ 4.171
1000+ ¥ 4.1015
5000+ ¥ 4.032
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起订量: 100 增量: 0
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