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IPD110N12N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 136W 20V 49nC@ 10V 120V 11mΩ@ 10V 75A 3.24nF@ 60V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD110N12N3 G

IPD110N12N3 G概述

    OptiMOS™ 3 Power Transistor IPD110N12N3 G

    1. 产品简介


    OptiMOS™ 3 Power Transistor 是一款适用于高频率开关和同步整流的应用场合的电子元器件。它属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,主要用于功率转换和控制。这种器件具有低导通电阻(RDS(on)),非常适合于需要高效功率转换的应用领域,如电源管理、马达驱动和逆变器系统等。

    2. 技术参数


    以下是OptiMOS™ 3 Power Transistor 的主要技术规格:
    - 基本参数
    - 类型:N沟道,标准电平
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):120V
    - 栅极阈值电压(V GS(th)):2.34V
    - 零栅极电压漏电流(I DSS):0.1至1μA
    - 最大栅极源极电压(V GS):±20V
    - 最大连续漏极电流(I D):75A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(I D,pulse):300A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ
    - 最大耗散功率(Ptot):136W(TC=25°C)
    - 热特性
    - 结-壳热阻(R thJC):1.1 K/W
    - 结-环热阻(R thJA):75 K/W(最小铜面积6cm²)
    - 动态特性
    - 输入电容(C iss):3240至4310pF
    - 输出电容(C oss):408至543pF
    - 反向传输电容(C rss):22pF
    - 开启延迟时间(t d(on)):16ns
    - 关闭延迟时间(t d(off)):24ns

    3. 产品特点和优势


    OptiMOS™ 3 Power Transistor 具有多项独特的优势:
    - 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM):这使得器件在高频开关应用中表现出色。
    - 非常低的导通电阻(R DS(on)):最大值仅为11mΩ,确保了高效率的功率转换。
    - 高达175°C的工作温度:使得该器件能在恶劣环境下稳定运行。
    - 无铅无卤素设计:符合RoHS标准,对环境友好。
    - 经过JEDEC认证:确保了产品的质量和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    OptiMOS™ 3 Power Transistor 在多种应用中表现优异,例如:
    - 电源管理:通过高效的开关特性实现低损耗的直流到直流转换。
    - 马达驱动:提供快速响应和高效率,适合电动工具和工业自动化设备。
    - 逆变器系统:在太阳能发电和不间断电源系统中提供高效能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑并选择合适的栅极电阻(R G)以避免开关过程中的振铃现象。
    - 使用较大的铜面积进行散热,以减少热阻并提高稳定性。
    - 考虑使用带有适当散热片的封装形式,以进一步降低热阻。

    5. 兼容性和支持


    OptiMOS™ 3 Power Transistor 采用了PG-TO251-3和PG-TO252-3两种封装形式,确保了广泛的兼容性。Infineon Technologies AG为该器件提供了全面的技术支持,包括详尽的数据手册、应用指南和在线技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:开关过程中出现振铃现象
    - 解决方案:增加栅极电阻(R G),通常建议的范围是1.5Ω。

    - 问题:工作温度过高导致性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用更大的散热片或风扇辅助冷却。

    7. 总结和推荐


    综上所述,OptiMOS™ 3 Power Transistor IPD110N12N3 G 是一款在高效功率转换应用中表现出色的MOSFET。其低导通电阻、良好的热稳定性以及广泛的适用范围使其成为市场上的优质选择。对于寻求高效、可靠且环境友好的电力解决方案的工程师而言,这款器件无疑是一个值得推荐的产品。

IPD110N12N3 G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.24nF@ 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 120V
最大功率耗散 136W
栅极电荷 49nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 75A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IPD110N12N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD110N12N3 G数据手册

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