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IRFH5006TR2PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.6W 20V 4V@ 150µA 100nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4.1mΩ@ 50A,10V 21A 4.175nF@30V QFN 贴片安装 6mm*5mm*830μm
供应商型号: IRFH5006TR2PBFCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH5006TR2PBF

IRFH5006TR2PBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),主要用于同步整流、电机逆变器及直流-直流转换器等领域。它具有低导通电阻、低热阻及高可靠性等特点,使其在多种电力电子应用中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60V
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 4.1mΩ(@VGS = 10V)
    - 总栅极电荷(Qg): 69nC(典型值)
    - 栅极电阻(RG): 1.2Ω(典型值)
    - 连续漏极电流(ID):
    - TA = 25°C:100A
    - TA = 70°C:40A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): ±20A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TA = 25°C:17W
    - Tmb = 25°C:3.6W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 线性降额因子: 0.029W/°C
    - 存储温度范围: -60°C 至 +175°C
    - 封装形式: PQFN 5mm x 6mm
    - 符合标准: RoHS 规范

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(≤ 4.1mΩ): 降低传导损耗,提高效率。
    2. 低热阻至印刷电路板(≤ 0.8°C/W): 有助于更好的热管理。
    3. 100% 栅极电阻测试: 增强可靠性。
    4. 低轮廓(≤ 0.9 mm): 实现更高的功率密度。
    5. 行业标准引脚布局: 保证多供应商兼容性。
    6. 与现有表面贴装技术兼容: 易于制造。
    7. 无铅、无溴化物、无卤素: 环保友好。
    8. MSL1 工业资格认证: 提升可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 二次侧同步整流: 在电源适配器中用于减少损耗,提升效率。
    - 直流电机逆变器: 在电动工具或工业设备中,实现高效的能量转换。
    - DC-DC 砖式应用: 在通信电源中,提供稳定且高效的电源输出。
    - 升压转换器: 在便携式设备中,为电池充电提供高效电源解决方案。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,尤其是在高温环境下工作时。
    - 使用适当的栅极驱动电阻(RG)来控制开关速度。
    - 根据应用要求选择合适的额定电压和电流,避免过载。

    兼容性和支持


    HEXFET Power MOSFET 采用标准封装(PQFN 5mm x 6mm),易于与现有的表面贴装技术兼容。制造商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品工作时发热严重怎么办?
    - A: 检查散热设计是否合理,确保散热器尺寸足够大,并考虑加装散热风扇以增加散热效果。

    - Q: 如何正确测量栅极电阻(RG)?
    - A: 参考产品手册中的测试电路进行测量。使用合适的仪器,并确保测试条件符合标准。
    - Q: 长时间工作后出现性能下降如何处理?
    - A: 定期检查安装和接线,确保接触良好。如仍存在问题,可能需要更换损坏部件或重新设计电路。

    总结和推荐


    总体而言,HEXFET Power MOSFET 在电力电子领域展现出卓越的性能和可靠性,尤其适合于需要高效率和紧凑设计的应用场合。其独特的功能和优势使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在各种电源转换和电机控制应用中使用这款产品。
    这份手册详细介绍了 HEXFET Power MOSFET 的技术规格、特点和应用,希望对您的选型和应用提供帮助。如有任何疑问,请联系当地技术支持团队。

IRFH5006TR2PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.175nF@30V
Id-连续漏极电流 21A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 3.6W
栅极电荷 100nC@ 10 V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6mm*5mm*830μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产

IRFH5006TR2PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH5006TR2PBF数据手册

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IRFH5006TR2PBF封装设计

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