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IHW20N135R3

产品分类: IGBT单管
产品描述: 310W 1.6V 独立式 1.35KV 40A TO-247 通孔安装 15.9mm*5.03mm*20.9mm
供应商型号: MIK-IHW20N135R3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IHW20N135R3

IHW20N135R3概述


    产品简介


    IHW20N135R3 是一款来自英飞凌(Infineon)的反向导通型IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor),配备内置的快恢复二极管。这款产品专为谐振开关应用而设计,具备高耐压(高达1350V)、低导通损耗(饱和电压仅为1.6V@25°C时)等优势,适用于各种高频应用场合。典型的应用领域包括感应加热设备、微波炉逆变器、谐振转换器以及软开关应用。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压:1350V
    - 持续集电极电流(Tc=25°C):40A
    - 持续集电极电流(Tc=100°C):20A
    - 脉冲集电极电流(有限于Tvjmax):60A
    - 单次非重复峰值集电极电流:200A
    - 二极管正向电流(Tc=25°C):40A
    - 二极管脉冲电流(有限于Tvjmax):60A
    - 门极-发射极电压范围:±20V
    热阻
    - IGBT热阻(结到壳):0.48K/W
    - 快恢复二极管热阻(结到壳):0.48K/W
    - 结到环境热阻:40K/W
    电气特性
    - 输出特性曲线显示在不同温度下集电极-发射极电压随集电极电流的变化。
    - 转移特性曲线显示了在VCE=20V时,集电极电流随栅极-发射极电压的变化。
    - 典型的栅极电荷曲线表明,在IC=20A时,栅极电荷随栅极-发射极电压的变化。
    - 动态测试电路用于测量各项动态参数,如开关延迟时间、下降时间和关断能量损失等。

    产品特点和优势


    IHW20N135R3的独特之处在于采用了TRENCHSTOP™技术,提供了非常紧的参数分布,高度坚固性和温度稳定性。其低饱和电压使得在高频开关应用中能够显著降低导通损耗,提高整体效率。此外,正温度系数的饱和电压使得并联运行更加容易。低电磁干扰(EMI)也是一项重要的优势,有助于减少外部噪声对系统的干扰。

    应用案例和使用建议


    应用场景:该产品广泛应用于高频加热设备、逆变器等场合,特别适合需要高可靠性的应用环境。例如,感应加热设备利用其高频特性实现高效的加热过程;微波炉逆变器通过低损耗的开关特性,提升能效和延长使用寿命。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保充分考虑散热管理,尤其是在连续工作的环境下。
    - 使用较低的栅极电阻以加快开关速度,但也要注意可能增加的损耗。
    - 对于高频应用,选择合适的门极驱动电路来优化开关特性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IHW20N135R3采用PG-TO247-3封装,可直接替换市场上大多数类似的TO-247封装的IGBT产品。
    - 支持:英飞凌提供详细的SPICE模型和其他设计工具,方便用户进行仿真和验证。用户还可以访问英飞凌的技术论坛寻求技术支持和交流经验。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高频开关过程中,为什么需要增加散热措施?
    解答:高频开关会导致较大的损耗,如果散热不良,会引起过温问题,导致产品损坏。推荐使用大尺寸散热片或热管,并保证良好的空气流通。
    问题2:如何正确设置栅极电阻?
    解答:栅极电阻设置不当会直接影响开关性能和功耗。一般情况下,较小的电阻可以加速开关速度,但也会增加功耗。根据具体应用需求调整栅极电阻值,建议参考制造商的建议值。

    总结和推荐


    总结:IHW20N135R3是一款高性能、高可靠的反向导通IGBT,其强大的内置二极管、低导通损耗以及高耐压等特性使其在高频应用中表现出色。采用TRENCHSTOP™技术,该产品在参数一致性、坚固性及温度稳定性方面具有明显优势。
    推荐:鉴于其优秀的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐IHW20N135R3作为高频加热、逆变器等领域的重要组件。无论是在设计新系统还是升级现有设备时,它都将是理想的选择。

IHW20N135R3参数

参数
集电极电流 40A
最大功率耗散 310W
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.35KV
最大集电极发射极饱和电压 1.6V
配置 独立式
长*宽*高 15.9mm*5.03mm*20.9mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IHW20N135R3厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IHW20N135R3数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N135R3 IHW20N135R3数据手册

IHW20N135R3封装设计

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