处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD60R460CE

IPD60R460CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 74W 20V 3.5V 28nC@ 10V 600V 460mΩ@ 10V 620pF@ 100V TO-252
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R460CE

IPD60R460CE概述


    产品简介


    600V CoolMOS CE Power Transistor
    600V CoolMOS CE 是一种高电压功率 MOSFET 技术,由 Infineon Technologies 开发。CoolMOS CE 技术平台旨在针对消费电子和照明市场的成本敏感型应用,同时仍然满足最高的效率标准。此系列的产品提供超结 MOSFET 的所有优势,而且不会牺牲易用性和性价比。

    技术参数


    最大额定值
    - 连续漏极电流:13.1A (TC=25°C),8.3A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:26A (TC=25°C)
    - 雪崩能量(单脉冲):185mJ (ID=1.6A, VDD=50V)
    - 雪崩能量(重复脉冲):0.28mJ (ID=1.6A, VDD=50V)
    - 门限电压:-20V 至 20V (静态), -30V 至 30V (动态)
    - 栅源电压 (静态):-20V 至 20V
    - 栅源电压 (动态):-30V 至 30V
    - 功耗 (非全封装):102W (TC=25°C)
    - 储存温度范围:-40°C 至 150°C
    - 工作结温范围:-40°C 至 150°C
    - 反向二极管恢复时间:320ns (VR=400V, IF=4.2A, diF/dt=100A/µs)
    - 反向二极管峰值恢复电流:21A (VR=400V, IF=4.2A, diF/dt=100A/µs)
    热特性
    - 结-壳热阻:4.1°C/W (全封装,TO-220FP)
    - 结-环境热阻:80°C/W (引脚式封装)
    - 结-环境热阻 (表面贴装版本):35°C/W 至 45°C/W (最小足迹)
    - 焊接温度:260°C (波峰焊接)
    电气特性
    - 漏源击穿电压:600V (VGS=0V, ID=0.25mA)
    - 门阈值电压:2.5V 至 3.5V (VDS=VGS, ID=0.28mA)
    - 门源泄漏电流:100nA (VGS=20V, VDS=0V)
    - 漏源导通电阻:0.41Ω 至 1.05Ω (VGS=10V, ID=3.4A)
    - 输入电容:620pF (VGS=0V, VDS=100V)
    - 输出电容:41pF (VGS=0V, VDS=100V)
    - 门总电荷:28nC (VDD=480V, ID=4.2A, VGS=0V 至 10V)

    产品特点和优势


    - 极低损耗:得益于非常低的 FOM (RdsonQg) 和 Eoss
    - 高耐压性
    - 易于使用/驱动
    - 无铅镀层,无卤素模塑化合物
    - 符合标准等级应用的标准
    - 适用于需要高效能的应用场合

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - PFC 阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 共振开关阶段
    - 例如 PC Silverbox, 适配器, LCD 和 PDP 电视, 室内照明
    使用建议
    - 并联 MOSFET 时,建议使用磁珠或者独立的推挽结构。
    - 在使用时,建议采用合适的散热设计以保持器件工作在安全温度范围内。

    兼容性和支持


    - 该产品具有良好的兼容性,可用于多种电路设计中。
    - Infineon Technologies 提供全面的技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理器件过热?
    - 解决方案:通过增加散热片或使用更高效的散热系统来提高散热效率。

    - 问题:器件出现噪声怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计中的滤波器设置,并调整以减少噪声干扰。

    总结和推荐


    600V CoolMOS CE Power Transistor IPD60R460CE 和 IPA60R460CE 在高电压应用中表现出色,尤其是在需要高效能和可靠性的场景下。其独特的技术特性和广泛的应用范围使其在市场上具有强大的竞争力。强烈推荐在需要高性能功率转换的应用中使用。
    总的来说,600V CoolMOS CE Power Transistor IPD60R460CE 和 IPA60R460CE 是目前市场上性价比非常高的产品之一。它们适用于广泛的高电压应用,提供了出色的性能和可靠性,非常适合追求高效能的电子设备制造商使用。

IPD60R460CE参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 460mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 620pF@ 100V
FET类型 -
栅极电荷 28nC@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 74W
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

IPD60R460CE厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R460CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R460CE IPD60R460CE数据手册

IPD60R460CE封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0