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E1SB50E000000E

产品分类: 无源晶振
厂牌: HOSONIC ELECTRONIC/台湾鸿星电子
产品描述:
供应商型号: E1SB50E000000E SMD2016-4P
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HOSONIC ELECTRONIC/台湾鸿星电子 无源晶振 E1SB50E000000E

E1SB50E000000E概述

    电子元器件产品技术手册解析:SMD晶体单元

    产品简介


    本产品是一款表面贴装(SMD)晶体单元,型号为HOS-4-058,版本号为D/1。产品的主要用途是作为电子设备中的频率控制元件,适用于通信设备、计算机、消费电子等多个领域。此款晶体单元通过密封工艺确保高精度频率输出,适用于对频率稳定性要求极高的应用场合。

    技术参数


    以下是该SMD晶体单元的主要技术规格:
    - 型号:E1SB50E000000E
    - 频率:50.000000MHz
    - 振动模式:基频
    - 频率容差:±10ppm @ 25°C ±3°C
    - 工作温度范围:-40°C ~ +85°C
    - 频率稳定性:±15ppm (相对于25°C)
    - 存储温度:-55°C ~ +125°C
    - 负载电容:7pF
    - 等效串联电阻:≤60Ω
    - 驱动等级:50~100μW
    - 绝缘电阻:≥500MΩ @ 100VDC
    - 并联电容:≤2pF
    - 老化率:±2ppm/年 (首年)

    产品特点和优势


    这款晶体单元具有以下显著特点和优势:
    1. 高精度频率控制:频率容差仅±10ppm,适合对频率稳定性有极高要求的应用场景。
    2. 宽工作温度范围:-40°C至+85°C的工作温度范围使其能够在各种恶劣环境下正常工作。
    3. 优异的环境适应性:能够承受高达125°C的存储温度,同时具备良好的抗振动和冲击能力。
    4. 可靠性验证:经过多项严格测试验证,如高温存储、温度循环、焊接耐热性、跌落测试等,确保其长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    此晶体单元常用于高端通信设备、网络基础设施及消费电子设备中,以实现精准的频率控制。在实际使用时,需注意以下几点:
    1. 合理选择负载电容:根据具体应用场景选择合适的负载电容值,确保频率稳定性和精度。
    2. 正确放置:尽量避免高频信号线过长,减少噪声干扰。
    3. 温度管理:工作温度应控制在-40°C至+85°C之间,避免极端温度影响其性能。

    兼容性和支持


    本产品符合EIA-481标准,易于与多种电子设备兼容。厂商提供了详尽的技术支持,包括设计指导、样品申请、质量检测等服务,确保客户在使用过程中获得全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 频率波动大:检查是否选择了正确的负载电容,重新焊接晶体单元。
    2. 无法通过老化测试:确认焊接工艺是否达标,必要时进行二次回流焊。
    3. 外观损坏:仔细检查是否有裂纹或变形,更换新的晶体单元。

    总结和推荐


    综上所述,HOS-4-058 SMD晶体单元凭借其高精度频率控制、宽工作温度范围、优良的环境适应性及可靠的性能,成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐在需要高精度频率控制的应用场景中选用此款晶体单元。

E1SB50E000000E参数

参数
频率容差 -
等效串联电阻 -
频率 -
驱动电平 -
负载电容 -
频率稳定性 -
通用封装 SMD-2016-4P

E1SB50E000000E数据手册

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HOSONIC ELECTRONIC/台湾鸿星电子 无源晶振 HOSONIC ELECTRONIC/台湾鸿星电子 E1SB50E000000E E1SB50E000000E数据手册

E1SB50E000000E封装设计

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