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FM25VN10-G

产品分类: 铁电存储器(FRAM)
产品描述: 1Mb (128K x 8) 128Kx8 2V 3.6V 18ns SPI SOIC-8 贴片安装 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
供应商型号: MIK-FM25VN10-G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
CYPRESS SEMICONDUCTOR 铁电存储器(FRAM) FM25VN10-G

FM25VN10-G概述

    FM25V10 1-Mbit (128K × 8) Serial (SPI) F-RAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    FM25V10 是一款1兆位(128K × 8)串行SPI铁电随机存取存储器(F-RAM),由Cypress半导体公司生产。
    主要功能:
    - 非易失性内存
    - 支持高速读写操作,具有实时写入能力
    - 无延迟写入
    应用领域:
    适用于频繁或快速写入需求的应用场景,如数据收集、工业控制等领域。

    2. 技术参数


    - 容量:1兆位(128K × 8)
    - 工作频率:最高可达40 MHz
    - 工作电压:2.0 V 到 3.6 V
    - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C
    - 存储时间:151年(数据保留时间)
    - 最大读写次数:100万亿次(10^14次)
    电气特性:
    - 工作电流:
    - 活动状态电流:1 MHz 下 300 μA
    - 待机状态电流:90 μA(典型值)
    - 睡眠模式电流:5 μA
    - 输入/输出电压范围:
    - 输入高电压:0.7 × VDD
    - 输入低电压:0.3 × VDD
    - 输出高电压:2.4 V(IOL = -1 mA, VDD = 2.7 V)
    - 输出低电压:0.4 V(IOL = 2 mA, VDD = 2.7 V)
    封装选项:
    - 8针小型集成电路(SOIC)封装
    - 8针双扁平无引线(DFN)封装

    3. 产品特点和优势


    - 无延迟写入:FM25V10 写操作速度极快,无需等待即可完成写入。
    - 高可靠性:100万亿次读写周期(10^14),相比其他非易失性存储器(如EEPROM)提供了显著的耐用性提升。
    - 快速SPI接口:支持高达40 MHz的串行外设接口(SPI)速度,适用于需要高传输速率的应用。
    - 硬件保护:通过WP引脚实现硬件保护,同时软件保护功能提供更高级别的安全机制。
    - 低温功耗:低至5 μA 的睡眠模式电流,适合电池供电应用。
    - 工业级温度范围:在-40°C 至 +85°C 范围内正常工作,适应恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 数据采集系统:频繁写入数据并确保数据可靠性。
    - 工业控制系统:对响应时间和数据完整性要求高的场合。
    - 电源管理系统:需要持久存储控制参数的应用。
    使用建议:
    - 确保正确配置写保护机制以防止意外数据修改。
    - 在设计系统时,考虑到F-RAM的高写入速度特性,减少不必要的数据校验步骤,以提高整体效率。
    - 注意电源管理,尤其是在睡眠模式下,以降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FM25V10可直接替代标准的串行闪存(Flash)和EEPROM,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:Cypress提供了广泛的技术支持和文档资源,包括硬件参考设计和固件库,帮助用户更快地开发和部署应用。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何正确配置写保护?
    解决方案:可以通过设置Status Register中的保护位(BP0和BP1)和启用硬件保护(WPEN = 1)来实现。
    问题2:F-RAM如何进入睡眠模式?
    解决方案:发送SLEEP指令后,设备将在接下来的tREC时间内返回正常工作状态。在此期间,可能需要进行“假读”以确保唤醒。
    问题3:F-RAM如何读取设备ID?
    解决方案:通过发送RDID指令,可以从设备中读取制造商ID和产品ID。

    7. 总结和推荐


    总结:
    FM25V10 是一款高性能的铁电随机存取存储器(F-RAM),具备高速读写、无延迟写入、高耐久性等优点,适合各种高频写入需求的应用场景。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和稳定性,强烈推荐在需要频繁或高速写入数据的工业应用中使用FM25V10。同时,建议用户充分利用其丰富的写保护功能和多种接口模式,确保系统的可靠性和安全性。

FM25VN10-G参数

参数
存储容量 1Mb (128K x 8)
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2V
组织 128Kx8
数据保留时长 -
接口类型 SPI
最大访问时间 18ns
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FM25VN10-G厂商介绍

Cypress Semiconductor是一家全球领先的半导体公司,专注于提供高性能、可靠的解决方案,以满足汽车、工业、消费电子和计算等市场的多样化需求。公司主营产品包括微控制器、存储器、无线和USB连接解决方案、软件和服务等。

Cypress的产品广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子产品、移动通信设备、计算机及其周边设备等领域。例如,在汽车领域,Cypress提供用于车辆信息娱乐系统、车身控制、安全系统的微控制器和存储器解决方案;在工业控制领域,Cypress的产品被用于自动化设备、智能电网等。

Cypress的优势在于其创新的技术、广泛的产品线和强大的研发能力。公司不断推出新的技术,以满足市场对高性能、低功耗和高可靠性产品的需求。此外,Cypress还提供全面的软件和开发工具,帮助客户快速开发和部署产品。通过这些优势,Cypress在半导体行业中建立了强大的竞争力。

FM25VN10-G数据手册

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CYPRESS SEMICONDUCTOR 铁电存储器(FRAM) CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25VN10-G FM25VN10-G数据手册

FM25VN10-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ $ 25.8464 ¥ 216.5928
20+ $ 24.8101 ¥ 207.9085
40+ $ 24.0552 ¥ 201.5827
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