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XT61M4G8D2TA-B8BEA

产品分类: 多芯片存储器
产品描述: 4G NAND (8bit ECC;x8) +2G LP DDR2 (x32)
供应商型号: 14M-XT61M4G8D2TA-B8BEA BGA162 8X10.5X1.0MM
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
XTX/深圳芯天下 多芯片存储器 XT61M4G8D2TA-B8BEA

XT61M4G8D2TA-B8BEA概述

    XT61M4G8D2TA-B8Bxx 产品综述

    产品简介


    XT61M4G8D2TA-B8Bxx 是一款由芯天下技术股份有限公司(XTX Technology Inc.)设计的多芯片封装(MCP)存储器,集成了4Gb NAND闪存(512M x 8位)和2Gb低功耗DDR2 SDRAM(64M x 32位)。这款产品特别适用于便携式电子设备的数据存储需求,能有效降低面积和功耗。NAND闪存与低功耗DDR2 SDRAM可以独立操作,分别提供高密度非易失性存储和高速临时数据访问解决方案。

    技术参数


    - NAND闪存
    - 容量:4Gb (512M x 8)
    - 组织方式:页大小为4096 + 256字节;块大小为256K + 16K字节
    - 模式:支持读、重置、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页编程、多块擦除、多页复制、多页读取
    - 读取时间:随机访问时间为25微秒(最大),连续访问时间为25纳秒(最小)
    - 块擦除时间:3.5毫秒(典型)
    - 可靠性:数据保留期为10年(典型)
    - ECC要求:8位/544字节

    - 低功耗DDR2 SDRAM
    - 密度:2Gb (8M字 x 32位 x 8个内部银行)
    - 电源供应:VDD1为1.70V至1.95V,VDD2、VDDCA、VDDQ为1.14V至1.30V
    - 钟频率:最高可达533/466/400/333/266/200/166 MHz
    - 页面大小:2KB
    - 银行数:8个
    - 接口:HSUL12
    - 突发长度:4, 8, 16
    - 突发类型:顺序、交错
    - 读延迟(RL):3, 4, 5, 6, 7, 8
    - 写延迟(WL):1, 2, 3, 4
    - 自动预充电选项
    - 支持自刷新、温度补偿自刷新(内置温度传感器)

    产品特点和优势


    1. 高效能:通过集成NAND闪存和低功耗DDR2 SDRAM,XT61M4G8D2TA-B8Bxx 在不增加面积的情况下显著提高了存储密度和处理速度。
    2. 低功耗:采用低功耗设计,减少设备的整体能耗。
    3. 多功能:支持多种操作模式,如自动页编程、多页读写等,满足不同的应用需求。
    4. 可靠性高:采用8位ECC校验,确保数据的安全性和可靠性。
    5. 宽温范围:适用于工业级温度范围(-40°C到+85°C),保证了在不同环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 数据存储:适合于数据存储和临时数据访问,例如语音录制和图像文件存储。
    - 移动设备:可用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
    - 建议使用场景:
    - 读取大量数据:使用多页读取操作可以提高读取效率,特别是在需要快速访问数据的应用中。
    - 写入操作:由于NAND闪存具有写保护功能,在进行写入操作时应注意保持WP#信号高电平。
    - 系统初始化:按照规定的初始化序列进行设备启动,以确保设备正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种NAND闪存和低功耗DDR2 SDRAM兼容,具体细节见产品手册。
    - 支持:芯天下技术支持团队提供了详细的技术文档和在线支持,确保用户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何在读取过程中更改列地址?
    - A: 在读取操作过程中,可以使用85h命令更改列地址。新的地址将在两个地址输入周期后被识别并用于数据输入。

    2. Q: 如何进入深功耗模式?
    - A: 进入深功耗模式需要将/CS拉高、CKE拉低,并在上升沿注册相应的命令。进入后,输入输出缓冲器将被禁用,但CK和/CK保持启用状态。
    3. Q: 如何执行擦除操作?
    - A: 擦除操作可以通过发送“60h”擦除设置命令,随后在上升沿发送“D0h”擦除启动命令来实现。设备会自动执行擦除和验证操作。

    总结和推荐


    XT61M4G8D2TA-B8Bxx 多芯片封装存储器凭借其高性能、低功耗和多功能性,在便携式电子设备中具有广泛的应用前景。特别是在对空间和能源有限制的场合下,如智能手机和平板电脑,其优势更为明显。推荐在需要高效、可靠数据存储和临时数据处理的场景中使用此产品。

XT61M4G8D2TA-B8BEA参数

参数
存储容量 512MB
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
接口类型 Parallel
应用等级 工业级
零件状态 在售

XT61M4G8D2TA-B8BEA厂商介绍

XTX公司是一家全球领先的技术解决方案提供商,专注于开发和制造高性能材料和系统。公司主营产品分为以下几类:

1. 高性能聚合物:包括工程塑料、特种塑料和复合材料,广泛应用于汽车、**、电子和医疗行业。

2. 先进材料:涵盖陶瓷、金属合金和纳米材料,用于制造高性能部件和结构。

3. 电子和光学产品:包括半导体材料、光电子器件和传感器,服务于通信、能源和**领域。

4. 环境与能源解决方案:提供环保材料和可再生能源技术,如太阳能电池板和节能材料。

XTX的优势在于:

- 创新能力:持续投入研发,拥有多项专利技术,推动行业技术进步。
- 定制化服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高性能和可靠性。
- 全球网络:遍布全球的销售和服务网络,为客户提供快速响应和本地化支持。

XT61M4G8D2TA-B8BEA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
XTX/深圳芯天下 多芯片存储器 XTX/深圳芯天下 XT61M4G8D2TA-B8BEA XT61M4G8D2TA-B8BEA数据手册

XT61M4G8D2TA-B8BEA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 51.8823
10+ ¥ 47.25
30+ ¥ 44.604
100+ ¥ 39.2823
2420+ ¥ 37.8
7260+ ¥ 37.0588
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