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1206N3R9D201CT

产品分类: 陶瓷电容
厂牌: WALSIN/台湾华新科技
产品描述: 3.9pF ±0.5pF C0G(NP0) 200V 1206 贴片安装 3.2mm*1.6mm*1.6mm
供应商型号: Q-MCN-1206N3R9D201CT
供应商: 期货订购
标准整包数: 4000
WALSIN/台湾华新科技 陶瓷电容 1206N3R9D201CT

1206N3R9D201CT概述


    产品简介


    多层陶瓷电容器(MLCC)是一种广泛应用于各种高电压应用中的关键电子元件。这些电容器特别适用于中高压系列(200V到4kV),尺寸从0402到1812不等,采用NP0、X7R和Y5V三种介质。所有产品均符合无卤素和RoHS标准。

    技术参数


    尺寸及封装
    - 尺寸范围:0402到1812
    - 电极材料:Cu/Ni/Sn
    - 包装:7"卷盘和13"卷盘
    容量及容差
    - NP0介质:0.1pF至0.033μF
    - X7R介质:100pF至1.0μF
    - Y5V介质:0.01μF至0.68μF
    - 容量容差:NP0介质为±30ppm;X7R介质为±15%;Y5V介质为+30%/-80%
    工作电压
    - NP0介质:200V至4000V
    - X7R介质:200V、250V
    - Y5V介质:200V、250V
    温度特性
    - NP0介质:-55°C至+125°C
    - X7R介质:-25°C至+85°C
    - Y5V介质:-25°C至+85°C
    绝缘电阻
    - 200V至630V:≥10GΩ或RxC≥100Ω-F,以较小者为准
    - 1000V至3000V:≥10GΩ
    介电强度
    - 200V至300V:≥2倍额定电压
    - 400V至450V:≥1.2倍额定电压
    - 500V至999V:≥1.5倍额定电压
    - 1000V至3000V:≥1.2倍额定电压
    - 4000V:≥1.1倍额定电压

    产品特点和优势


    - 高电压:在给定尺寸内提供高电压耐受能力。
    - 高稳定性和可靠性:通过特殊设计减少了电压集中,提高了整体稳定性。
    - 温度特性好:适用于广泛的温度范围,特别是在工业和汽车领域有广泛应用。
    - 兼容多种介质:支持NP0、X7R和Y5V介质,满足不同应用需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电源转换器中的尖峰抑制器:在高频电源转换器中用于尖峰抑制。
    - 高压耦合/直流隔离:用于高压耦合和直流隔离电路。
    - DC-DC转换器:在DC-DC转换器中作为滤波电容。
    - 背光逆变器:用于背光逆变器中。
    使用建议
    - 在回流焊接过程中,建议使用1206及以上的芯片大小。
    - 使用X7R介质时,不建议用于交流线路滤波。
    - 考虑到外部电弧的可能性,可能需要额外的表面涂层保护。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些电容器可以与其他标准封装的电子元件一起使用,具体兼容性请参阅详细规格书。
    - 支持:制造商提供详细的测试报告和技术支持,确保产品的可靠性和耐用性。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:电容器在高湿度环境下性能不稳定
    - 解决方案:建议在高湿度环境中添加适当的表面涂层或密封处理,以提高绝缘性能。
    2. 问题:焊接后电容器失效
    - 解决方案:检查焊接工艺,确保焊接温度和时间符合规范要求。必要时重新焊接。
    3. 问题:电容器在振动测试中损坏
    - 解决方案:确认封装是否牢固,确保使用符合规格的压接工具进行压接。

    总结和推荐


    综述:这款多层陶瓷电容器具备高电压耐受能力和优异的温度特性,适用于多种高电压应用场景。通过采用特殊的内部电极图案设计,不仅实现了较高的容量值,还显著提升了产品的稳定性和可靠性。
    推荐:强烈推荐使用此款多层陶瓷电容器。凭借其出色的性能和广泛的适用范围,它将为您提供可靠的解决方案,特别是在工业和汽车电子等领域。

1206N3R9D201CT参数

参数
电容值 3.9pF
容差 ±0.5pF
温度系数 C0G(NP0)
额定电压 200V
长*宽*高 3.2mm*1.6mm*1.6mm
通用封装 1206
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

1206N3R9D201CT数据手册

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WALSIN/台湾华新科技 陶瓷电容 WALSIN/台湾华新科技 1206N3R9D201CT 1206N3R9D201CT数据手册

1206N3R9D201CT封装设计

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