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TSZU52C3V6 RGG

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: ±5% 1μA 3.6V 95Ω 150W 独立式 贴片安装 1.8mm*1mm*850μm
供应商型号: 821-TSZU52C3V6RGG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TSZU52C3V6 RGG

TSZU52C3V6 RGG概述

    # TSZU52C2V0 至 TSZU52C39 SMD 稳压二极管技术手册

    产品简介


    TSZU52C2V0 至 TSZU52C39 是由台湾半导体(Taiwan Semiconductor)制造的小信号表面贴装稳压二极管系列产品。这些二极管具有广泛的工作电压范围,从2.0V到39V。设计用于小面积表面安装,具备超薄无引线封装,同时符合无卤标准(IEC 61249-2-21)。这些二极管适用于各种应用场合,如电源电路、稳压电路和过压保护电路等。

    技术参数


    - 外壳尺寸: 0603
    - 终端: 镀金,可按 MIL-STD-750, 方法2026焊接
    - 极性: 通过阴极带标识
    - 重量: 大约3毫克
    - 最大瞬态浪涌电流: 2A
    - 功率耗散: 150mW
    - 工作温度范围: -55°C 到 +125°C
    - 前向电压 @ IF = 10mA: 0.9V
    电气特性
    | 型号 | Z 系列 | 最小电压(V) | 标称电压(V) | 最大电压(V) | 最大IZ(mA) | 最大IZ(mA) | 最大IZ(mA) | 最大VR(V) |
    |
    | TSZU52C2V0 | Z0 | 1.90 | 2.10 | 5 | 100 | 5 | 600 | 1.0 |
    | TSZU52C2V2 | Z1 | 2.09 | 2.31 | 5 | 100 | 5 | 600 | 1.0 |
    | TSZU52C2V4 | Z2 | 2.28 | 2.52 | 5 | 85 | 5 | 600 | 1.0 |
    | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... |
    | TSZU52C39 | ZZ | 37.05 | 40.95 | 5 | 90 | 5 | 300 | 29.0 |

    产品特点和优势


    TSZU52C2V0 至 TSZU52C39 二极管的特点和优势如下:
    1. 广泛的工作电压范围:从2.0V到39V,能够满足不同应用场景的需求。
    2. 超薄无引线封装:占用较小的电路板空间,适用于紧凑型设计。
    3. 符合RoHS标准:环保无铅,符合国际标准。
    4. 高可靠性:在极端温度范围内具有良好的性能稳定性。
    5. 低功耗:最大功耗仅为150mW,有助于提高整体系统的能效。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源稳压:用于电源电路中的稳压,确保稳定的输出电压。
    2. 过压保护:防止电路因电压过高而损坏。
    3. 电路保护:提供过流和过压保护,保护其他敏感组件。
    使用建议
    1. 选择合适的电压等级:根据具体应用需求选择合适的电压等级,以确保最佳性能。
    2. 注意散热:在高电流情况下,注意散热,避免二极管过热损坏。
    3. 正确标识极性:确保正确的安装方向,以免反接导致电路故障。

    兼容性和支持


    这些二极管与市面上常见的表面贴装工艺兼容,可以轻松集成到现有电路设计中。台湾半导体提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    问题1:二极管工作时发热严重怎么办?
    解决办法:检查是否超过了最大允许的功耗,确保电路设计中合理的散热措施。如果需要,增加散热片或者采用散热性能更好的材料。
    问题2:反向电压过大导致击穿怎么办?
    解决办法:确保应用中施加的反向电压不超过最大额定值。在设计电路时应合理选择二极管的电压等级,以防止电压过高导致损坏。

    总结和推荐


    TSZU52C2V0 至 TSZU52C39 SMD稳压二极管是设计紧凑、高效可靠的产品,特别适合于需要广泛工作电压范围的应用场景。其卓越的性能、广泛的适用性和良好的环境适应性使其成为众多电子设备的理想选择。我们强烈推荐使用这一系列的稳压二极管,以提升您的电路设计的可靠性和性能。
    本技术手册详细介绍了TSZU52C2V0至TSZU52C39 SMD稳压二极管的主要特性和应用,旨在帮助用户更好地了解并使用这些高性能产品。希望本文对您有所帮助。

TSZU52C3V6 RGG参数

参数
最大功率耗散 150W
标称齐纳电压 3.6V
配置 独立式
最大功率 150mW
Ir - 反向电流 1μA
最大齐纳阻抗 95Ω
电压容差 ±5%
长*宽*高 1.8mm*1mm*850μm
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

TSZU52C3V6 RGG数据手册

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TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 齐纳(稳压)二极管 TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TSZU52C3V6 RGG TSZU52C3V6 RGG数据手册

TSZU52C3V6 RGG封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.46 ¥ 3.887
10+ $ 0.3404 ¥ 2.8764
100+ $ 0.1932 ¥ 1.6325
500+ $ 0.1243 ¥ 1.0503
1000+ $ 0.0929 ¥ 0.7848
2000+ $ 0.0799 ¥ 0.6753
4000+ $ 0.0702 ¥ 0.5932
8000+ $ 0.0637 ¥ 0.5384
24000+ $ 0.0529 ¥ 0.4472
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