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STGD6M65DF2

产品分类: IGBT单管
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 88W 1.55V 独立式 650V 12A TO-252 贴片安装
供应商型号: UA-STGD6M65DF2
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
STMICROELECTRONICS IGBT单管 STGD6M65DF2

STGD6M65DF2概述


    产品简介


    STGD6M65DF2 是一款采用先进沟槽门控场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),属于M系列IGBT。这些IGBT以其卓越的系统性能和效率而著称,特别适用于低损耗和短路保护的应用场景。STGD6M65DF2 具有多种优点,包括快速软恢复反向并联二极管,适用于电机控制、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VGES = 0 V): 650 V
    - 连续集电极电流 (TC = 25°C): 12 A
    - 连续集电极电流 (TC = 100°C): 6 A
    - 脉冲集电极电流 (VGES): ±20 V
    - 连续正向电流 (TC = 25°C): 12 A
    - 连续正向电流 (TC = 100°C): 6 A
    - 总耗散 (TC = 25°C): 88 W
    - 存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 工作结温范围: -55°C 至 175°C
    热数据:
    - 结-壳热阻 (IGBT): 1.7°C/W
    - 结-壳热阻 (二极管): 5°C/W
    - 结-环境热阻: 100°C/W
    静态特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (VGES = 0 V, IC = 250 μA): 650 V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VGES = 15 V, IC = 6 A, TJ = 125°C): 1.9 V
    - 正向导通电压 (IF = 6 A, TJ = 175°C): 1.9 V
    - 门阈电压 (VCES = VGES, IC = 250 μA): 5 V
    动态特性:
    - 输入电容 (VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGES = 0 V): 530 pF
    - 输出电容: 31 pF
    - 反向传输电容: 11 pF
    - 总栅极电荷 (VCC = 520 V, IC = 6 A, VGES = 15 V): 21.2 nC

    产品特点和优势


    STGD6M65DF2 的主要特点是具有 6 微秒的短路耐受时间,同时具有较低的 VCE(sat) (典型值为 1.55 V),以及紧凑的参数分布。该产品还拥有低热阻,这使得其在并行操作中更加安全可靠。此外,它还配备了快速软恢复的反向并联二极管,使其在各种电力应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    STGD6M65DF2 广泛应用于电机控制、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。为了确保最佳性能,建议使用时考虑其热管理。例如,在高功率应用中,适当的散热措施(如散热片)可以显著提高产品的使用寿命和可靠性。

    兼容性和支持


    ST 提供的这种产品采用 DPAK (TO-252) 封装,与其他电子元件具有良好的兼容性。厂商提供了详尽的技术文档和测试电路,以帮助用户更好地理解和使用该产品。如果遇到任何问题,可以通过厂商的官方技术支持获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:集电极-发射极电压过高导致产品损坏。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保 VGES 不超过额定值(±20 V),并在必要时添加外部限流电阻。

    - 问题:设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 确保设备的工作结温不超过 175°C,并采用适当的散热措施,如散热片或风扇。
    - 问题:产品在启动时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确认驱动电路正确连接,检查驱动信号的频率和幅度是否符合要求,并根据需要调整外部门极电阻。

    总结和推荐


    STGD6M65DF2 是一款高性能、高可靠性的 IGBT,适用于多种电力电子应用。它的低热阻和紧凑的参数分布使其在并行操作中表现优秀,而其 6 微秒的短路耐受时间和快速软恢复的反向并联二极管使其成为高可靠性应用的理想选择。总的来说,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。

STGD6M65DF2参数

参数
配置 独立式
集电极电流 12A
最大功率耗散 88W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 1.55V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

STGD6M65DF2厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STGD6M65DF2数据手册

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STMICROELECTRONICS IGBT单管 STMICROELECTRONICS STGD6M65DF2 STGD6M65DF2数据手册

STGD6M65DF2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ $ 0.4888 ¥ 4.0957
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