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VDZT2R5.1B

产品分类: 齐纳(稳压)二极管
厂牌: ROHM
产品描述: ±2% 2μA 5.1V 80Ω 100mW 独立式 VMD-2 贴片安装 1mm*600μm*500μm
供应商型号: A-VDZT2R5.1B
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 齐纳(稳压)二极管 VDZT2R5.1B

VDZT2R5.1B概述

    VDZ5.1B Zener Diode 技术手册解读

    1. 产品简介


    VDZ5.1B 是一款由罗姆公司(ROHM)设计和生产的稳压二极管(Zener Diode)。这类器件主要用于电路中的电压调节,提供稳定的参考电压,适用于多种电子设备和系统。其主要功能包括:
    - 稳定输出电压
    - 防止过压损坏后端负载
    - 保护敏感电路免受电压尖峰影响
    应用领域:
    VDZ5.1B 适合用于消费电子、工业控制设备、通信系统等领域,具体可应用于电源管理、信号调理、开关电源、过压保护等方面。

    2. 技术参数


    以下为 VDZ5.1B 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 标称击穿电压(Zener Voltage) | VZ | 4.980 | 5.1 | 5.2 | V |
    | 动态阻抗 | ZZ | 80 200 | Ω |
    | 反向电流 | IR | 0.5 2 | μA |
    | 绝对最大功率耗散 | PD 100 mW |
    | 工作结温范围 | Tj 150 °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 150 | °C |
    封装规格:
    - 封装类型:SOD-723 / SC-104A
    - 包装形式:带卷包装
    - 每盘基本单位:8000pcs

    3. 产品特点和优势


    VDZ5.1B 的主要特点和优势:
    1. 高可靠性
    罗姆公司采用硅外延平面工艺制造,确保了产品在长期使用中的稳定性与一致性。
    2. 小尺寸设计
    使用小型模具封装,适合空间受限的设计需求,有助于简化PCB布局并降低成本。
    3. 低功耗性能
    最大功率耗散仅为100mW,使其特别适用于低功耗应用场景。
    4. 优异的动态阻抗
    其动态阻抗较低(80~200Ω),能够快速响应电压变化,保障系统的电压稳定性。
    5. 广泛的应用范围
    击穿电压为5.1V,适合于众多需要精确电压稳定性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理系统
    VDZ5.1B 可作为低压电源的基准电压源,帮助维持电源输出的稳定性,避免因电压波动导致的设备故障。
    2. 信号线路保护
    在高频信号传输线路中,VDZ5.1B 能够吸收瞬时尖峰电压,从而保护后续电路元件。
    3. 电池管理
    在锂电池充电电路中,它可以用作过压保护装置,防止电池因过度充电而损坏。
    使用建议:
    - 热管理
    注意根据实际应用调整工作环境温度,确保其工作在绝对最大结温范围内。如需长时间运行于高温环境下,需降低功耗以避免过热。
    - 安装环境
    避免在潮湿或腐蚀性环境中使用,若必须在特殊条件下使用,应进行独立验证确认其可靠性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - VDZ5.1B 与同类 SOD-723 和 SC-104A 封装的稳压二极管具有良好的互换性。
    - 它可以轻松与其他标准电路模块结合,实现多种功能集成。
    技术支持:
    - 罗姆公司提供详尽的技术文档、测试报告及售后服务,确保客户能够高效地完成设计与生产。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 反向电流过大 | 检查外围电路设计是否正确,调整偏置电阻值。|
    | 功耗过高 | 调整电路负载,避免超出额定功率限制。 |
    | 击穿电压不稳定 | 检查是否符合标称值要求,更换合格产品。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    VDZ5.1B 是一款性能卓越的小型稳压二极管,其高可靠性和小巧封装使其非常适合于消费类电子产品和工业控制领域的应用。特别是在低功耗和空间受限的场景下表现尤为出色。
    推荐意见:
    对于需要稳定电压且对体积敏感的电路设计,VDZ5.1B 是一个值得信赖的选择。在使用过程中需注意其功率耗散限制,并合理选择散热措施。如果能够遵循厂商提供的安装指导和维护建议,可以有效延长产品的使用寿命并提升整体系统的可靠性。
    最终推荐: 强烈推荐用于需要高精度电压调节的电路设计中。

VDZT2R5.1B参数

参数
Ir - 反向电流 2μA
最大齐纳阻抗 80Ω
电压容差 ±2%
最大功率耗散 100mW
标称齐纳电压 5.1V
配置 独立式
最大功率 100mW
长*宽*高 1mm*600μm*500μm
通用封装 VMD-2
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

VDZT2R5.1B厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

VDZT2R5.1B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 齐纳(稳压)二极管 ROHM VDZT2R5.1B VDZT2R5.1B数据手册

VDZT2R5.1B封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.0758
100+ ¥ 1.6793
1000+ ¥ 1.0278
4000+ ¥ 0.6527
8000+ ¥ 0.4725
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